2、Verilog程序实现Flash芯片擦除操作(SPI) 根据Flash读/写时序要求,片选信号拉低后,需进行5ns(tSLCH≥5ns)等待时间,及后写入写使能指令。写入完成后,再次进行5ns(tCHSH≥5ns)等待,拉高片选线维持≥100ns,接续完成写入操作指令流程。 Flash芯片数据读操作的时钟频率(SCK)上限为50MHz,这里通过四分频设定SCK频率为...
没想到验证的时候一直乱码,查了资料才知道,原来flash芯片不支持覆盖写,只能在擦除过的区域进行写操作,想要重写数据,必须进行擦除,而且擦除一般是按照扇区或者是块进行擦除。根本原因其实是flash芯片的写操作只能将1变为0,而不能将0变为1,擦除之后,flash中是全1的状态...
FLASH_Unlock();//解锁FLASH//页面的起始地址 PAGE_WRITE_START_ADDR 和结束地址 PAGE_WRITE_END_ADDR//页面的大小 FLASH_PAGE_SIZENbrOfPage = (PAGE_WRITE_END_ADDR - PAGE_WRITE_START_ADDR) / FLASH_PAGE_SIZE;//计算需要擦除的页面数量,//忙标志位 FLASH_FLAG_BSY、//结束标志位 FLASH_FLAG_EOP ...
在用G070KBT6芯片调用HAL_FLASHEx_Erase(&EraseInitStruct, &PageError)时,调试发现该函数返回HAL_ERROR,最后定位到FLASH_WaitForLastOperation(FLASH_TIMEOUT_VALUE)函数出现错误,pFlash.ErrorCode为0xA0,即FLASH错误标志位 FLASH_SR_PGSERR和FLASH_SR_PGAERR被置位; static void Flash_EraseSector(uint32_t PageA...
作者由此得来灵感,在unlock前,判断CFGBSY是否置位1,如果在flash代码区域中在自己觉得没用的区域执行写入操作,就能够把CFGBSY置0,同时报其他flash错误标记,然后通过清除这些标记的手段实现擦除动作。具体代码参考如下: #define FLASH_FLAG_ALL_ERRORS (FLASH_FLAG_OPERR | FLASH_FLAG_PROGERR | FLASH_FLAG_WRPERR ...
我意识到，除了电源问题，可能还有其他因素导致无法擦除FLASH数据。比如，是否有关于擦除操作的时序要求，或者是否需要特定的信号来触发擦除过程？此外，我也考虑到了可能的硬件故障，如芯片本身是否存在问题，或者是否有关于擦除的固件问题。为了进一步排查问题，我计划先从硬件层面进行检查。我会检查电源线...
一、芯片介绍 NVH-FLASH系列语音芯片型号有三种,分别为NV128H、NV256H、NV512H;语音长度分别为200s,400s、800s。该系列芯片是一款高性能的16位单机片,并享有特有的1000次擦除程式周期,数据保留时间超过10年,针对的是语音领域的应用。最大的特点是单芯片方案、生产周期短、适合大中小型批量生产,即便是小数量生产...
1 打开桌面的J-Flash。2 点击标题栏上方的“Options”。3 点击“Project settings”。4 点击“MCU”。5 在“Device”的选项中，选中要擦除的芯片型号。6 返回，点击“Target”。7 点击“Connect”。8 成功连接之后，在log显示框中可以看到“Connected successfully”，然后惦依次单击点击“Target”、“Manual ...
[0066] 具体的,在本可选方式中,预擦除区域22为一个预擦除子存储阵列1及所述阱 区中非擦除区域23中为阱区中非擦除子存储阵列2至子存储阵列m。具体擦除方法参考上 述说明及解释。 [0067] 需要说明的是,在本实施例中当FLASH芯片接收擦除指令后,在对擦除操作的步 骤S化至S4b的执行方式时,本实施中上述排序...
我试过当读写保护全部加上，再通过J-Flash ARM的Unsecure Chip命令解除写保护时，全片就会被擦除，也...