解:〔1〕存储器的总容量为16K×16位=256K位,用DRAM芯片为1K×4位=4K位, 故芯片总数为: 256K位/4K位 = 64片 〔2〕由于存储单元数为16K,故地址长度为14位〔设A13~A0〕. 芯片单元数为1K则占用地址长度为10位〔A9~A0〕. 每一组16位〔4片〕,共16组,组与组间译码采用4:16译码. 组成框图如图所示....
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百度试题 结果1 题目有一组16K×16位的存储器,由1K×4位的DRAM芯片构成(芯片是64×64结构)。问:5. 共需要多少RAM芯片?6. 采用异步刷新方式,如单元刷新间隔不超过2ms,则刷新信号周期是多少? 相关知识点: 试题来源: 解析 正确 反馈 收藏
DRAM 芯片的内部结构 ( 64 * 64 ) , 2 ms 内整个芯片要刷新一遍,读写一次存储器[1]的时间 1μs, 若采用集中式刷新[2]方式,则出现死时间率是(
有一个16K×16位的存储器,由多个1K×4位的DRAM芯片构成(芯片内是64×64结构),回答以下问题:(1)总共需要多少RAM? (2)若采用异步刷新方式,如果单元刷新间隔不超过2ms,则刷新周期是多少? (3)若采用集中刷新方式,存储器刷新一遍最少需要多少个刷新周期?设存储器的读写周期为0.5μs,死区占多少时间?死时间率为多...
【其它】有一个16 K x 16位的存储器,由1K x4位的DRAM芯片构成(芯片是64 x64结构)。问: 1) 共需要多少DRAM芯片? 2 ) 若芯片内连续编址,则主存地址中哪几位用于选片?哪几位用于片内选址? 3) 采用分散式刷新方式,存储器读/写周期为0.5us,则刷新信号周期是多少?
有一个16 K x 16位的存储器,由1K x4位的DRAM芯片构成(芯片是64 x64结构)。若芯片内连续编址, 哪几位用于片内选址?A.A0-A9B.A0-A10C.
16×4=64片
(2)采用集中刷新,对64×64的芯片,需在2ms内集中64个存取周期刷新64行。根据题中给出的存取周期为0.1μs,即在2ms内集中6.4μs刷新,则死时间率为(64/20000)*100%=0.32%相关推荐 1【题目】一个1Kx4位的动态RAM芯片,若其内部结构排列成 64*64 形式,且存取周期为0.1μs(1)若采用分散刷新和集中刷新相结合...
【计算题】一个 16K × 16 位的存储器[1],有 1K × 4 位的 DRAM 芯片,内部结构由 64 × 64 构成,试问: ( 1 )采用异步刷新方式,如果最大