自对准技术 self-alignment technique 微电子技术中利用元件、器件结构特点实现光复印自动对准的技术。早期的 MOS集成电路采用的是铝栅工艺,首先在硅单晶片上热氧化生长一层二氧化硅膜,经第一次光刻,在二氧化硅膜上刻蚀出源和漏扩散窗口,用扩散法形成源和漏扩散区 (图1aMOS集成电路铝栅工艺)，接着在硅片上形成新的...
自对准工艺的优点主要包括高精度、高效率、高可靠性以及广泛的适用性。首先，自对准工艺能够实现纳米级别的对准精度。这种工艺通过微细加工技术，可以将芯片的各种元件对准到微米或者更小的尺度，大大提高了芯片的工艺精度。例如，在制造MOS集成电路时，自对准技术可以确保栅区精确地对准源区和漏区，避免了...
元件以及器件结构特点。自对准指利用单一掩模版在硅片上形成多层自对准结构，其原理是微电子技术中利用元件以及器件结构特点实现自动对准的技术。
💪 华为的这项专利技术,自对准四重图案化技术,是一种在芯片制造领域的重大突破。在国际巨头如英特尔都未能攻克四重曝光技术难题的背景下,华为取得了显著进展。🚀 华为Mate70系列搭载的麒麟9020芯片,相较于上一代产品,实现了功耗优化和性能的大幅提升。这款芯片集成了CPU、GPU、NPU、基带、卫星模块等,做工水准...
自对准双重成像技术(Self-aligned Double Patterning , SADP)即，一次光刻完成后，相继使用非光刻工艺步骤(薄膜沉积、刻蚀等)实现对光刻图形的空间倍频。最后，使用另外一次光刻和刻蚀把多余的图形去掉。因此，SADP工艺的难度主要是如何对光刻、刻蚀和薄膜沉积等工艺做集成。对设计工程师也有新的挑战，设计的版图必须符合...
晶体管自对准技术，这是制作MOS大规模集成电路的一种重要工艺技术。采用该技术即可减小其中MOSFET的寄生电容，大大提高工作频率和速度。（1）问题的提出：对于增强型MOSFET，如果栅电极与源/漏区域之间存在有间隙的话，则器件工作时沟道就不能导通，因此在早期的铝栅电极MOSFET结构中，考虑到工艺对准的误差，往往在栅...
具体如下：1、光纤陀螺自对准工艺：利用光纤陀螺仪来获取飞行器的姿态信息，然后根据姿态信息进行自对准。这种工艺具有精度高、速度快等优点，广泛应用于卫星、导弹等领域。2、星间导航自对准工艺：通过接收多个卫星发出的信号，并利用星间差分技术对信号进行处理，以获取飞行器的位置、速度等信息，从而实现...
华中科技大学陈蓉教授团队自主研发了一种高精度薄膜沉积的解决方案。他们通过选择性原子层沉积技术（Selective Atomic layer deposition，ALD），实现了目标介电层在底部介电层的自对准生长，而在非生长区金属铜表面不生长。该工艺在生长区达到 5nm 厚度，非生长区不生长，其选择性达到 100%，并实现自对准沉积。该技术...
北京大学申请自对准晶体管专利，降低在源漏互连方案中对刻蚀时间的控制难度 金融界2024年4月9日消息，据国家知识产权局公告，北京大学申请一项名为“自对准晶体管的源漏互连方法、自对准晶体管及器件“，公开号CN117855145A，申请日期为2023年12月。专利摘要显示，本申请提供一种自对准晶体管的源漏互连方法、自对准...