能隙(Bandgap energy gap)或译作能带隙,在固态物理学中泛指半导体或是绝缘体的价带(valence band)顶端至导带(conduction band)底端的能量差距。 基本信息 中文名称 能隙 外文名称 Bandgap energy gap 别称 能带隙 词性 专有名词 折叠编辑本段定义 能带理论是研究固体来自中电子运动规律的一种近似理论。原子包括原子...
1. 光学测量法 光学测量法是一种常用的能隙测量方法,利用外加光的能量激发半导体材料中的电子,测量透射谱线和反射谱线在不同能量下的强度变化,计算出材料的能隙大小。这种方法测量精度较高,但要求实验条件苛刻,不适用于所有材料的测量。 2. 电学测量法 电学测量法也是一种常用的能隙测量方...
能隙的形成来源于这两个波的等量叠加—相加或相减,构成两个不同的驻波相应于两种驻波的电子概率密度分别为两种驻波描述了两种不同的电子状态,使得电子倾向于聚集在晶体中不同的空间区域,具有不同的势能。 Ψ(+)倾向于将电子聚集在相邻离子实的中点处,使其势能高于行波的平均势能.。Ψ(-)倾向于将电子聚集在离子实...
能隙的形成来源于这两个波的等量叠加—相加或相减,构成两个不同的驻波相应于两种驻波的电子概率密度分别为两种驻波描述了两种不同的电子状态,使得电子倾向于聚集在晶体中不同的空间区域,具有不同的势能。 Ψ(+)倾向于将电子聚集在相邻离子实的中点处,使其势能高于行波的平均势能.。Ψ(-)倾向于将电子聚集在离子实...
首先要搞清楚,孤立体系,比如分子、团簇,有三种gap(能隙),绝对不能混淆: (1) HOMO-LUMO gap:定义是E(LUMO)减去E(HOMO),显然肯定是个正值。平时说分子体系的gap的时候,如果没有前提,多数情况指的就是这种gap。 (2) Fundamental gap:定义是VIP减去VEA。其中VIP是vertical ionization potential的缩写,中文一般叫垂...
解:能隙是指金属在超导态时的基态与最低激发态之间的能量差。 因为金属处于正常态时,基态与最低激发态之间是没有能隙。一旦金属发生了超导转 变,能隙就出现。所以能隙的存在对确定金属是否处于超导态是很有用的,故讨论能隙问题 对于超导体很重要。 利用S-I-M 结或 S-I-S 结的隧道效应的 I-V 特性曲线...
(I) 从左侧正常绝缘体或半导体 (regular insulator) 开始,到中间的能带交接 kiss,即能隙 QCP。注意到,在时间反演不变点 (time - reversal invariant point, 即 QCP 或狄拉克点) 处,正常绝缘体导带 (红) 和价带 (蓝) 两支能带,分别携带奇宇称 (odd parity, -) 和偶宇称 (even parity, +)。QCP 处,当...
能隙是指在半导体原子间的电子束缚区域,导价带和价带之间存在一定宽度的能量间隙,称为能隙。能隙宽度是指导电子与价电子带之间的能量差距,用符号Eg表示。 二、半导体的能隙宽度分类 根据能隙宽度的大小,半导体可以分为三类: 1. ...
能隙式测温(thermometry)是通过测量固体材料的电导率与温度间的关系,来判断固体材料当前温度的一种常用方法。该原理基于材料的能隙和电导率相关,可应用于从极低到极高的温度范围内。 二、能隙的概念 能隙是指材料本身能吸收光的能力对应的频率范围。固体材料的能隙较小,近似为零,因此电子在固体中能自由运动。随...
一、带隙:导带的最低点和价带的最高点的能量之差。也称能隙。带隙超过3ev的被认为是宽带隙半导体,例如GaN、SiN和ZnO。小于3ev的就是窄带隙。带隙越大,电子由价带被激发到导带越难,本征载流子浓度就越低,电导率也就越低。室温下,Si的带隙为1.1eV,GaAs的带隙为1.43eV,一般把室温下带...