背照式镜头又称背照式摄像头，其区别于传统摄像头CMOS传感器，通过改变CMOS传感器元件内部结构改变光线路径，使得摄像头在灵敏度上有质的飞跃，在低光照度下对焦能力和画 质有极大的提升。原理剖析 照片来源 相机的本质价值就在于把我们人眼能看到的景象转化成可以保存欣赏的平面图像，把辗转即逝的瞬间变成永恒。在另...
前照式与背照式CMOS的区别很好理解,一种是电路层位于感光二极管前面,一种是电路层位于感光二极管后面。如上图所示,前照式CMOS的金属电路挡在受光面前面,这样会损失很多光线,真正能够被感光二极管接收和利用的光线只剩70%甚至更少。 很显然,背照式CMOS极大提高了光线利用率,可以提高传感器灵敏度,最明显的改善就是低...
总结来说,背照式传感器通过改进光线接收方式提高了图像质量,而堆栈式传感器则在背照式的基础上通过先进的层叠设计大幅提升了数据处理速度和图像质量,适用于对拍摄速度和画质有更高要求的场合。堆栈式传感器通常也是基于背照式(BSI, Back-Side Illuminated)技术的。这意味着堆栈式传感器不仅采用了背照式传感器的设计,允许...
1，背照式技术 在背照式技术出现之前，CMOS图像传感器（简称为“CIS”）都是前照式的结构，当光经过微透镜和颜色滤镜后，还要经过金属布线层（可以将电信号转换为数字信号）才能到达光电二极管（PD）处，通过光电效应累积光生电子。然后 SX（选择晶体管）和 RX（复位晶体管）同时打开，进行晶体管的复位，将浮动扩散...
背照式CMOS传感器是一种特殊设计的图像传感器，通过将传感器掉转方向，使光线首先进入感光二极管，从而有效增大感光量，提高在低光照条件下的拍摄效果。这种设计减少了传统CMOS传感器中金属线路和晶体管对光线的阻碍。索尼的背照式CMOS传感器以Exmor R为商品名称，最初是在DV摄像机中得到了应用。简介 在传统CMOS感光元件...
在传统摄像头感光元件中，感光二极管位于电路晶体管后方，进光量会因遮挡受到影响。所谓背照式摄像头就是将它掉转方向，让光线首先进入感光二极管，从而增大感光量，显著提高低光照条件下的拍摄效果 优势 传统的CMOS传感器每个像素点都要搭配一个对应的A/D转换器以及对应的放大电路，因此，这部分电路会占用更多的像素...
图4. 背照式(BSI)工艺流程图 图5. 不同结构下微透镜和光电二极管(PD)之间的距离比较 借助BSI技术，使1.12μm及以下像素尺寸的应用成为可能，并为1600万像素及以上的高分辨率产品开辟出了市场。不同于会受到布线干扰的FSI结构，基于BSI的光学工艺有着更高的自由度。得益于此，背侧深沟槽隔离(BDTI)、W型栅格(...
背照式 sCMOS 相机技术是光学探测器的有力竞争者，适用于多种应用，包括高光谱成像、天文学、冷原子成像、量子成像、荧光光谱和高速光谱。本技术说明将介绍新技术的显着特点和性能特征。背照式架构 背照式技术多年来一直用于科学 CCD 探测器。由于背照式探测器在更宽的光谱区域(深紫外到近红外)具有更高的灵敏度...
背照式CMOS（Back-illuminated CMOS或Back Side illumination CMOS，通常缩写为BSI CMOS）是传统前照式CMOS的进化和发展。在传统前照式CMOS中（Front-illuminated CMOS或Front Side illumination CMOS，通常缩写为FSI CMOS），传感器自上至下依次为微透镜、滤光片、电路层，然后才是光电二极管。光电二极管需要和电路部分...