背照式一词源于数码相机技术，所谓背照式CMOS就是将它掉转方向，让光线首先进入感光二极管，与起先的感光二极管位于电路晶体管后方的位置相反，从而增大感光量，显著提高低光照条件下的拍摄效果。定义 在传统CMOS感光元件中，感光二极管位于电路晶体管后方，进光量会因遮挡受到影响。索尼的背照式CMOS传感器商品名称为Exmor...
总结来说,背照式传感器通过改进光线接收方式提高了图像质量,而堆栈式传感器则在背照式的基础上通过先进的层叠设计大幅提升了数据处理速度和图像质量,适用于对拍摄速度和画质有更高要求的场合。 堆栈式传感器通常也是基于背照式(BSI, Back-Side Illuminated)技术的。这意味着堆栈式传感器不仅采用了背照式传感器的设计,允...
图4. 背照式(BSI)工艺流程图 图5. 不同结构下微透镜和光电二极管(PD)之间的距离比较 借助BSI技术，使1.12μm及以下像素尺寸的应用成为可能，并为1600万像素及以上的高分辨率产品开辟出了市场。不同于会受到布线干扰的FSI结构，基于BSI的光学工艺有着更高的自由度。得益于此，背侧深沟槽隔离(BDTI)、W型栅格(...
前照式与背照式CMOS的区别很好理解,一种是电路层位于感光二极管前面,一种是电路层位于感光二极管后面。如上图所示,前照式CMOS的金属电路挡在受光面前面,这样会损失很多光线,真正能够被感光二极管接收和利用的光线只剩70%甚至更少。 很显然,背照式CMOS极大提高了光线利用率,可以提高传感器灵敏度,最明显的改善就是低...
背照式CMOS传感器是一种特殊设计的图像传感器，通过将传感器掉转方向，使光线首先进入感光二极管，从而有效增大感光量，提高在低光照条件下的拍摄效果。这种设计减少了传统CMOS传感器中金属线路和晶体管对光线的阻碍。索尼的背照式CMOS传感器以Exmor R为商品名称，最初是在DV摄像机中得到了应用。简介 在传统CMOS感光元件...
在传统摄像头感光元件中，感光二极管位于电路晶体管后方，进光量会因遮挡受到影响。所谓背照式摄像头就是将它掉转方向，让光线首先进入感光二极管，从而增大感光量，显著提高低光照条件下的拍摄效果 优势 传统的CMOS传感器每个像素点都要搭配一个对应的A/D转换器以及对应的放大电路，因此，这部分电路会占用更多的像素...
提到背照式CMOS,相信很多朋友首先会联想到智能手机等小型影像记录设备。现在主流的手机的摄像头均采用了背照式和堆栈式两种类型的传感器。 想要弄清楚背照式中“背”的含义,就必须要先了解传统CMOS——前照式(FrontSide Illumination,缩写为FSI)的结构。
1，背照式技术 在背照式技术出现之前，CMOS图像传感器（简称为“CIS”）都是前照式的结构，当光经过微透镜和颜色滤镜后，还要经过金属布线层（可以将电信号转换为数字信号）才能到达光电二极管（PD）处，通过光电效应累积光生电子。然后 SX（选择晶体管）和 RX（复位晶体管）同时打开，进行晶体管的复位，将浮动扩散...
背照式CMOS和前照式CMOS的主要区别在于光线的进入方式和感光器件的位置。背照式CMOS直接将光线照射在感光器件上,而前照式CMOS通过微透镜等结构引导光线进入感光器件。 堆栈式CMOS在结构上与背照式和前照式CMOS有所不同,它是通过垂直堆叠多个层次的电路和感光器件来提高性能。