我们讨论了电阻器的长期漂移随着其工作时间的立方根而增加,晶体老化往往与时间呈对数关系。由于老化而导致的运算放大器失调电压偏差也是时间的非线性函数。运算放大器失调的长期漂移与经过时间的平方根成正比。因此,如果将老化效应指定为1 μV/1000小时,则失调可以变化约3 μV/年,计算如下: 失调的长期变化通常以μV/...
我们讨论了电阻器的长期漂移与其工作时间的立方根成正比，而晶体老化则往往与时间呈对数关系。由于老化导致的运算放大器偏移电压的偏差也是时间的非线性函数，具体来说，运算放大器偏移的长期漂移与经过时间的平方根成正比。因此，如果将老化效应指定为1μV/1000小时，那么偏移量在一年内可能变化约3μV。偏移的长期变化...
我们之前讨论过，电阻的长期漂移随其工作时间的立方根增加而增加，而晶体老化则更倾向于与时间呈对数关系。同样地，运算放大器失调电压的老化偏差也是时间的非线性函数。具体来说，运算放大器失调的长期漂移与经过的时间的平方根成正比。因此，如果老化效应指定为1 μV/1000小时，那么每年的偏移量变化大约为3 μV。偏...
芯片可靠性是IC设计中不可忽视的重要环节。通过深入了解影响芯片可靠性的因素、积极应对老化效应以及利用先进的仿真工具进行可靠性仿真,我们可以有效提升芯片的整体性能和寿命,为电子设备的稳定运行提供有力保障。 国微芯的EsseSim仿真工具结合EsseChar工具、EsseSanity工具等一系列的工具,为芯片设计行业提供更加高效、准确的...
以往的研究更多是从青年人在双目标搜索上的表现出发，少有研究对老年人在双目标成本上的视觉加工特点进行探讨，研究的结果在一定程度上给老年人双目标成本的老化效应提供了一定的实证基础。3视觉搜索中的老年人自上而下加工和自下而上加工 在视觉搜索过程中通常涉及到两个加工方式，即自上而下的引导搜索模式以及自下...
晶体管的老化效应主要是HCI与NBTI已经是无需争论的事实,而HCI在电路中主要受到信号翻转率(SA,Switch Activity)的影响,而NBTI主要受到信号占空比(SP,Signal Probability)的影响也早已成为常识,并在多篇问论文中体现[1][2]。集成电路的老化或者说这里的晶体管的老化会同时存在这两种效应,但是如果这两种效应的占比不同...
随机游走现象:电子元件老化是一个随机过程 需要注意的是,老化效应是一个随机过程,设备的实际老化行为可能过于复杂,无法用简单的公式来描述。衰老有时被认为是一种“随机游走”现象。当集成不相关的随机“步骤”时,会产生随机游走过程。其离散时间表示由下式给出: ...
月球玻璃是月球风化层的常见成分，主要来源于陨石撞击，它们经历了极长时间（数百万至数十亿年）的老化，依然保持着完好的玻璃结构，因此月球玻璃可以作为评价玻璃长期抗老化效应的理想材料。同时，这类超凡抗老化的月球玻璃是潜在的优质空间服役材料。月球风化也会形成玻璃，其含量（主要包括玻璃颗粒和胶结物）随着其成熟...
1. 控制温度:降低半导体器件的工作温度和存储温度,以减缓老化过程。 2. 选择合适的材料:选择具有较好抗老化性能的材料来制造半导体器件。 3. 优化设计:通过改进器件的结构和电路设计,降低应力和电场强度,从而减少老化效应。 4. 封装保护:采用适当的封装材料和结构,保护半导体器件免受外...
电老化试验中的老化效应形式有电晕放电或局部放电老化、电弧老化、树枝化老化、电化学老化。 知识拓展: 电老化是由电介质内部的局部放电引起的。在强电场作用下,电介质中存在的气隙等杂质发生局部放电。这种局部放电属非完全击穿,并不立即形成贯穿性放电通道,但在持续电压的作用下局部放电逐步发展,最后导致击穿。