虽然体电阻和结电阻都是描述电路中的电阻特性,但它们的定义和应用范围是不同的。体电阻主要用来描述物质的导电性能,而结电阻主要用来描述半导体器件中的电阻特性。在电子学中,二者使用的场景和目的都不同,需要注意区分。 五、结语 体电阻和结电阻是电子学中的常用概念,本文从概念定义、应用范围和区别等方面介...
结电阻是指PN结的正向电阻,通常用于控制电流的流动,是半导体器件中常见的一种结构。结电阻的特点如下: 1. 非线性:在正向偏置时,结电阻呈现出非线性的特点,多用于电压稳压器等场合; 2. 稳定性好:结电阻的参数稳定性较好,能够在一定范围内保持其特性不变; 3. 小信号特性好:结电阻的小信号特性好,能够满足一些要...
标识为r'e，是指发射结的体电阻，等于25/Ie（mA）；并非rbe。一般rbe，是晶体管接成共发射极方式，π形等效电路中，从基极看去过的基极—发射极交流电阻。由于发射极电流是基极电流的1+β倍，即Ie=(1+β)*Ib，那么r'e等效电阻rb'e变成(1+β)*r'e，再加上基区等效电阻rbb'，就是rbe，所...
当电流流过发光二极管时,内部存在两种不同性质的电阻。正向导通时呈现的等效电阻被称为动态电阻,反向截止时呈现的称为结电阻。这两种电阻直接影响着LED的实际应用效果。 动态电阻与结电阻存在本质区别。动态电阻属于非线性电阻,其数值会随电流大小变化。当正向电流增加时,动态电阻反而减小。结电阻则表现为反向电阻特性,...
2）稳压管在稳压模式时相当于在发射极串联个6V的电压源，稳压管在二极管模式时，相当于在发射极串联个0.7V的电压源，而电源对交流信号而言可视为短路；所以发射结电阻 ： rbe = rbb + (1+β)[ 26(mA) / IEO(mA) = 26/Ib；三极管输入电阻 ：Ri = rbe//Rb1//Rb2，Au = Ic*Rc/Ri；可...
(1)产生原因不同:结电阻是由于半导体材料内部的结构特性导致的,而接触电阻则是由于导体之间的接触不良引起的。 (2)影响因素不同:结电阻的大小主要取决于材料性质和温度等因素,而接触电阻则与接触面的材质、表面状况、压力等密切相关。 (3)特性不同:结电阻通常具有非线性...
结电阻是指在三极管的开关过程中,其表现出来的电阻值,也可以理解为欧姆定律在电子元件中的体现。因此,结电阻越小,三极管的工作性能就越好。 二、三极管结电阻的大小 三极管结电阻的大小与半导体材料的品质、掺杂浓度、接触面积以及温度等因素有关。通常情况下,三极管的结电阻值在几十欧姆到几千欧姆不等。一...
正向偏置时发射结的结电阻相对较小。反向偏置下发射结的结电阻通常非常大。发射结的结电阻公式推导基于半导体物理原理。掺杂浓度会改变发射结的结电阻大小。发射结的结电阻在小信号模型中作用关键。 其公式计算能辅助分析晶体管的放大性能。不同类型晶体管发射结的结电阻有差异。发射结的结电阻和发射区面积有关联。
pn结交流结电阻的理论计算基于半导体物理 。实验测量中常用到伏安特性法求其值 。电容耦合也会关联到pn结交流结电阻 。光电效应中pn结交流结电阻有独特表现 。不同材料制成的pn结交流结电阻不同 。晶体结构会影响pn结交流结电阻特性 。表面态对pn结交流结电阻有一定作用 。空间电荷区宽度和pn结交流结电阻有关 。扩散...
UT就是开通时，发射结的电压，对于硅管一般是0.7V左右。发射结开通时的基极电流 Ibq = IEQ/(1+β)，其中，IEQ是发射极电流，β是晶体管电流放大倍数，你知道的。所以，发射结电阻 Rbe = UT/Ibq = UT/(IEQ/(1+β)) = UT(1+β)/IEQ。这应该就是你需要的公式吧。