百度试题 结果1 题目问答题 什么是结深?相关知识点: 试题来源: 解析 正确答案:硅片中p型杂质和n型杂质相遇的深度被称为结深。反馈 收藏
功率器件中的结深是指PN结中掺杂浓度发生显著变化的区域到器件表面的垂直距离,它对器件的耐压、通流能力和开关速度等性能有重要影响。 一、结深的基本概念 在功率器件中,结深是一个非常重要的参数。它指的是PN结中掺杂浓度发生显著变化的区域到器件表面的垂直距离。简单来说,就是PN结的深度。这个参数...
结深定义为从硅中表面到扩散层浓度等于称底浓度处之间的距离,一般以微米为单位计量 结深的测量，通常在100mlHF（49%）加几滴HNO3d的混合液中对磨斜角（1°～5°）的样品做化学染色，有时只要HF就够了。如果样品置于强光下照一两分钟，P型区要比n型区染色重。利用Tolansky干涉条纹技术，可精确测...
PN结是由P型半导体和N型半导体接触形成的。结深这个概念主要在太阳能电池的PN结里面提到的比较多，因为晶体硅电池的PN结是在P型沉底的硅片上表面上扩散一层很薄的N型半导体一般只有0.3-0.5um 这个N型薄层的厚度就叫做结深！
名词解释 结深 答案: 杂质扩散浓度分布曲线与衬底掺杂浓度曲线交点的位置称为结深。 点击查看答案 你可能感兴趣的试题 问答题 【简答题】 说明扩散杂质的高斯分布特点(有限源扩散属于此分布) 答案: ①在整个扩散过程中,杂质总量保持不变; ②扩散时间越长,扩散温度越高,则杂质扩散得越深,表面浓度越低; ...
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PN结结深是个什么概念。。有图解更好
答案:根据杂质补偿原理,利用热扩散或离子注入的掺杂技术,在N型和P型之间杂质浓度相等处形成PN结。掺杂硅与硅衬底在杂质浓度相等... 你可能感兴趣的试题 问答题 【简答题】掺杂的主要目的是什么?给出硅片制造中的三种主要掺杂应用。 答案:掺杂被广泛应用于硅片制造的全过程,是改变材料性能,改变晶片电学性质、实现器件...
手足结深,形容兄来 &,不星,比喻弟兄。生活中 5. 1x大,却眉日、心弦、吸、手属、&,只:&等,你能根据意思连线日心 比喻一个人的而求,特别是贪官的贪欲。 景不同的破案的线索,做某事的思路等比喻最值得信任的人、亲信。 6手腕 某人的形象,往往指负面形象。图口 手段,要手腕,要手段。比喻某单位的顶梁...