1. III-V族窄禁带半导体:主要包括砷化镓(GaAs)、砷化铝镓(AlGaAs)、磷化铟镓(InGaAs)等; 2. II-VI族窄禁带半导体:主要包括氧化锌(ZnO)、硫化锌(ZnS)、硒化铟(In2Se3)等; 3. 碲化物窄禁带半导体:主要包括碲化镉(CdTe)、碲化镉锌(CdZnTe)等。 三、窄禁带半导体的应用 1. 太阳能电池:窄禁带半导体具有...
禁带是半导体能带结构中带隙的一部分,不存在电子能量。若外界施加电场,电子可以通过吸收光子从价带到导带跃迁,但带隙不足则无法跃迁。 超窄禁带宽度指的是带隙极低的半导体材料,其禁带宽度在几个电子伏范围内,同时具有较高的电导率。 二、超窄禁带宽度的应用 由于超窄禁带宽度的特性,其...
窄禁带宽材料的半导体性质解析 2023年07月07日 一、窄禁带材料的定义 窄带隙材料指的是其导带与价带之间的能隙较小的材料,一般小于2eV。窄带隙材料中电子在价带内的热运动可以被克服而转移到导带中,因此具有半导体或导体的电学性质,如硅、锗、砷化镓等。 二、窄禁带材料的半导体性质 在...
相对而言,宽带热电材料的禁带宽度在1.5-3.0 eV之间,典型的宽带热电材料有氧化铈、氧化镨、氧化钆等。 三、窄禁带热电材料与宽禁带热电材料的共性和差异 窄带热电材料和宽带热电材料有很多共性,比如都具有一定的热电效应,都可以用于热电转换等方面。但是,窄禁带热电材料和...
窄禁带材料是指带有非常小的导电能力范围的材料,通常是半导体材料。这种材料的导电性质介于金属和非导体之间,其导电带和价带之间的能隙通常都很小,小于3电子伏特。因此,当这种材料暴露在光、热、电场等刺激下时,会发生一系列特殊的电、光、热效应。 窄禁带材料的一个重要特点是其导电能力很弱,这意味着它们通常只能...
窄禁带半导体是指禁带宽度小于1.5eV的半导体材料。相较于宽禁带半导体,窄禁带半导体具有以下特点: 1. 热电转换性能优秀:窄禁带半导体的尺寸效应和自旋-轨道耦合使其具有出色的热电转换性能,可用于能源转换和储存。 2. 光电响应强:窄禁带半导体的禁带宽度适中,具有优异的光电响应能力,可用于太阳...
1、少数载流子浓度与温度有关。（随着温度的升高而变窄）2、禁带宽度与温度有关。（随着温度的升高而呈指数式增加）主要是受多子影响。半导体禁带宽度小，受热后外层成键电子容易跃迁到激发态成为参与导电的载流子，导电性能提高，所以温度稳定性差。所以多子起主要作用。半导体指常温下导电性能介于导体与绝缘...
可理解为加上正向电压，正向电压会与内部接触电场相抵消，这也是正向导通的的原理，所以浓度高，建立起的耗尽层宽度也就窄了。具体说明：电场强度=掺杂浓度*宽度（e=nd*w），电势差等于=电场强度*宽度，所以电势差等于掺杂浓度*宽度的平方，产生的电势差一样时，高掺杂的掺杂浓度大，所以耗尽层宽度窄。
1. 太阳能电池:窄禁带P型半导体材料可以用于太阳能电池的P型区域,提高太阳能电池的效率。 2. 光电探测器:窄禁带P型半导体材料可以用于光电探测器的P型区域,提高光电探测器的响应速度和灵敏度。 3. 发光二极管:窄禁带P型半导体材料可以用于发光二极管的P型区域,提高发光二极管的发光效率...