1. III-V族窄禁带半导体:主要包括砷化镓(GaAs)、砷化铝镓(AlGaAs)、磷化铟镓(InGaAs)等; 2. II-VI族窄禁带半导体:主要包括氧化锌(ZnO)、硫化锌(ZnS)、硒化铟(In2Se3)等; 3. 碲化物窄禁带半导体:主要包括碲化镉(CdTe)、碲化镉锌(CdZnTe)等。 三、窄禁带半导体的应用 1. 太阳能电池:窄禁带半导体具有...
光电子学:窄禁带材料具有高灵敏度和快速响应等特点,可以用于制造高性能太阳能电池、红外探测器、光电晶体管等光电子学器件。 光催化:窄禁带材料在吸收光能时可以形成有用的电子空穴对,从而促进化学反应的进行。这种特性使得它们在光催化领域具有广泛应用,如用于水分解、二氧化碳还原等。 传感器:窄禁带材料具有高灵敏度和...
《窄禁带半导体物理学》是2005年03月01日科学出版社出版的图书，作者是褚君浩。内容简介 本书主要讨论窄禁带半导体的基本物理性质，包括晶体生长，能带结构，光学性质，晶格振动，自由载流子的激发、运输和复合，杂质缺陷，表面界面，二维电子气，超晶格和量子阱，器件物理和应用等方面的基本物理现象、效应和规律以及近年...
一、窄禁带半导体的特点 窄禁带半导体常见于硅基材料,其禁带大小只有几个电子伏特,电场强度容易使它电离。窄禁带半导体具有较高的载流子浓度,电流密度大,电场高,所以它容易热击穿。 二、热击穿的原理 当半导体外加电场达到一定强度时,由于半导体材料的性质,它的电导率会发生急剧变化,处于电导率临界点...
二氧化钛(TiO2)是一种重要的半导体材料,具有窄禁带特性。禁带是指导带与价带之间的能量差,而窄禁带意味着电子在较小的能量下就能从价带跃迁到导带,从而产生电流。这使得二氧化钛在光电转换、光催化等方面具有独特的优势。 二、二氧化钛在光电器件中的应用 由于二氧化钛具有窄...
可理解为加上正向电压，正向电压会与内部接触电场相抵消，这也是正向导通的的原理，所以浓度高，建立起的耗尽层宽度也就窄了。具体说明：电场强度=掺杂浓度*宽度（e=nd*w），电势差等于=电场强度*宽度，所以电势差等于掺杂浓度*宽度的平方，产生的电势差一样时，高掺杂的掺杂浓度大，所以耗尽层宽度窄。
窄禁带半导体(Narrow Bandgap Semiconductor)指的是能隙(能量带隙)小于1eV的半导体材料。与普通半导体相比,窄禁带半导体具有以下几个特点: 1.高载流子浓度:由于窄禁带半导体的能隙小,导致其内在掺杂浓度变大,从而使其在室温下具有高载流子浓度,使其适用于高速、高功率应用。 2.高电子迁移率:窄禁带半导体的载流子...
窄禁带半导体是指禁带宽度小于1.5eV的半导体材料。相较于宽禁带半导体,窄禁带半导体具有以下特点: 1. 热电转换性能优秀:窄禁带半导体的尺寸效应和自旋-轨道耦合使其具有出色的热电转换性能,可用于能源转换和储存。 2. 光电响应强:窄禁带半导体的禁带宽度适中,具有优异的光电响应能力,可用于太阳...
窄禁带半导体材料 窄禁带半导体材料与器件研究 IV-VI族铅盐和碲镉汞(HgCdTe)是两类重要的窄禁带半导体材料,