离子束光刻 离子束光刻（ion beam lithography）是1993年公布的电子学名词。公布时间 1993年，经全国科学技术名词审定委员会审定发布。出处 《电子学名词》第一版。
离子源是其关键部件,能产生稳定且高质量的离子束。静电透镜用于聚焦离子束,提高离子束的聚焦精度。离子束经过加速系统获得足够能量进行光刻作业。掩模版设计决定了光刻图形的具体形状和尺寸。高精度对准系统确保掩模版与晶圆的精准对位。光刻过程中需控制离子束剂量,保证光刻质量。真空环境对聚焦离子束投影式光刻很重要。
它利用高能离子束直接照射在光敏剂上,通过控制离子束的位置和强度来形成所需的图案。离子束光刻具有高分辨率、高精度和高度可控性的优点,广泛应用于集成电路制造中。 离子束光刻的工作原理是通过将高能离子束照射到光敏剂上,使光敏剂发生化学或物理改变。首先,需要准备一个光敏剂层,该层会对高能离子束的照射做出反应...
离子束光刻是一种利用离子束在材料表面进行直接书写的技术。离子束可以在衬底材料上方的抗蚀剂层中制造出具有小于10纳米分辨率的平滑垂直壁的三维、高纵横比结构。当抗蚀剂层暴露于离子束时,可以被诱导变得或多或少可溶解,然后在浸入溶剂中以去除更易溶解的区域。离子束...
离子束光刻是一种利用离子束在材料表面进行直接书写的技术。离子束可以在衬底材料上方的抗蚀剂层中制造出具有小于10纳米分辨率的平滑垂直壁的三维、高纵横比结构。当抗蚀剂层暴露于离子束时,可以被诱导变得或多或少可溶解,然后在浸入溶剂中以去除更易溶解的区域。离子束光刻依赖于短程二次电子,这与电子束光刻不同,...
总的来说，电子束光刻、离子束光刻和X射线光刻都是目前非常先进且重要的光刻技术。它们各有千秋，在不同的应用场合中发挥着不可或缺的作用。展望未来，随着科技的持续进步和创新，这些光刻技术有望变得更加完善，并为我们的生活带来更多的便利和惊喜。在这个科技日新月异的时代，我们满怀期待地关注着光刻技术的不...
•聚焦离子束光刻（FocusedIonbeam）（FIB离子束直接写入，聚焦的离子束直接撞击靶材实现图形转换的过程。）•离子投影光刻（Ionprojectionlimography（IPL平行的离子束穿过掩膜，将缩小的掩膜图形投射到基底上。）聚焦离子束原理 FIB系统采用液态金属离子源，加热同时伴随着一定的拔出电压，获得金属离子束，通过质量选择...
离子束光刻是一种采用液态原子或固态原子电离后形成的离子，通过电磁场加速及电磁透镜的聚焦或准直，对光刻胶进行曝光的微细加工技术。与电子束光刻相比，离子束光刻的德布罗意波长更短（小于0.0001纳米），具有无邻近效应小、曝光场大的优点，原理相似但性能更优。离子束光刻技术主要包括聚焦离子束光刻（...
离子束光刻胶又称IBL光刻胶,指专用于离子束光刻工艺的光刻胶。离子束光刻胶具有化学稳定性好、分辨率高、耐辐射、热稳定性好等优势,在纳米压印技术、纳米科学研究、微电子制造以及生物医学领域拥有广阔应用前景。 离子束光刻技术(IBL)指利用氩气、氦气、氖气等惰性气体产生的离子束对于硅片表面进行轰击刻蚀的技术,可...