磷化铟半导体材料具有宽禁带结构，并且电子在通过InP 材料时速度快，因此利用磷化铟芯片制造的卫星信号接收机和放大器可以工作在100GHz以上的极高频率，并且有很宽的带宽，受外界影响较小，稳定性很高。因此，磷化铟是一种比砷化镓更先进的半导体材料, 有可能推动卫星通信业向更高频段发展。磷化铟（InP）和砷化镓（GaAs...
磷化铟/铟镓砷磷，第13-第15族化合物半导体中磷化铟体系中的一种材料组合。铟镓砷磷（InGaAsP）为第13-第15族四元系化合物。和磷化铟晶格匹配的铟镓砷磷材料在室温下的禁带宽度随元素组分的不同可在0.74～1.34电子伏之间变化。形成的异质材料经常用于磷化铟基异质结双极晶体管、垂直腔面发射激光器等光电器件结构...
磷化铟是重要的Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料之一,是继硅(Si)、砷化镓(GaAs)之后的新一代微电子、光电子功能材料,其因电子迁移率高、禁带宽度大等特点,被广泛应用于微波及光电器件领域。 用途用作半导体材料,用于光纤通讯技术,需要1.1～1.6μm范围内的光源和接受器。在 InP衬底上生长In-GaAsP双异质结激光器既能满足...
磷化铟是一种沥青光泽的深灰色晶体,作为第二代半导体材料,其结构为闪锌矿型晶体,禁带宽度为1.34eV。由于磷化铟具备宽禁带结构,具有极高的电子极限漂移速度,用这种材料制作的电子器件能够放大更高频率或更短波长的信号,且受外界影响较小,稳定性较高。凭借电子迁移率高、禁带宽度大、抗辐射能力强、光电转换效率高等特点...
磷化锢太阳电池是太阳电池的一种，太阳电池是利用光电转换效应所制成的一种半导体器件。磷化铟太阳电池具有特别好的抗辐照性能，因 此在航天应用方面受到重视。Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体是制造太阳能电池原件的主要材料之一，磷化铟是其主要代表之一。InP是微电子和光电子的基础材料，为直接带隙，禁带宽度约1.3 eV，具有...
”A股有些上市公司涉及到磷化铟方面,具体的上市公司有如下几个。 涉及磷化铟相关业务的上市公司 1.三安光电——600703,公司主要从事化合物半导体材料与器件的研发、生产以及销售,以氮化镓、砷化镓、碳化硅、磷化铟、氮化铝、蓝宝石等化合物半导体新材料所涉及的外延片、芯片为核心主业。产品主要应用于照明、显示、背光、...
磷化铟，是一种无机化合物，化学式为InP，为银灰色单晶，极微溶于无机酸，主要用作半导体材料，用于光纤通讯技术，具有直接跃迁型能带结构、禁带宽度较宽，光电转换效率较高，电子迁移率高、抗辐射能力较强。磷化铟的应用 InP是一种非常重要的III–V族半导体，由于同时具有良好的光学和电学性质，因此在光子与光电子...
磷化铟具有高的饱和电子漂移速度,适宜的发光波长,抗辐射能力强,导热性好,光电转换效率高,宽禁带结构等关键特点,非常适合用于高性能电子器件。特别是在光通信、激光器、高速电子器件等领域中扮演着核心角色。 磷化铟作为第二代半导体材料,对于现代电子和光电子设备至关重要,目前中国对这类材料主要依赖进口。叶澜今天整理...
近日,中国科学院上海微系统与信息技术研究所异质集成XOI团队,在通讯波段硅基磷化铟异质集成激光器方面取得了重要进展。 2024-03-15 09:44:48 JePPIX中试线宣布推出基于磷化铟的光子集成电路设计和制造服务 中试线发布声明说:“JePPIX为磷化铟PIC产品认证所需的所有服务提供一站式服务,包括:覆盖制造公差的功能性PIC...