max. 3 200 A-VPLog-i 磁致电阻电流传感器 三相功率计 VPInstruments VPFlowTerminal 流量数据采集器 VPInstr VPVision 能源管理软件 VPInstruments 可售卖地 北京;天津;河北;山西;内蒙古;辽宁;吉林;黑龙江;上海;江苏;浙江;安徽;福建;江西;山东;河南;湖北;湖南;广东;广西;海南;重庆;四川;贵州;云南;西藏;陕西...
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1.一种使用TiN作为盖帽层的磁致电阻器件,包括: 磁致电阻材料层,其形成在下材料层上;以及 TiN盖帽层,其形成在该磁致电阻材料层上。 2.如权利要求1所述的磁致电阻器件,其中该磁致电阻材料层包括: 反铁磁层; 第一铁磁层,其通过该反铁磁层具有固定磁化方向; 隧道势垒层,其形成在该第一铁磁层上;以及 第二铁...
某些材料的电阻率在外磁场作用下发生改变的现象称为磁致电阻效应,利用该效应可以制作磁敏器件.为探究某磁敏器件材料的电阻率随外磁场的变化规律,设计如图(a)所示电路.该器件在无外磁场时的阻值为R_0,加磁感应强度为B的外磁场后,阻值变为R,阻值的变化量Δ R=R-R_0,相对变化率(Δ R)(R_0)能反映器件材料...
本发明涉及巨磁致电阻器件和磁性隧道结结构及包括其的电子设备。根据一示例性实施例,一种巨磁致电阻器件可包括:第一参考磁层,具有固定的第一面内磁矩;自由磁层,具有在与所述第一参考磁层的第一面内磁矩基本平行和反平行的方向上可翻转的第二面内磁矩;第一间隔层,位于所述第一参考磁层和所述自由磁层之间,并且...
本发明涉及巨磁致电阻器件、磁子场效应晶体管和磁子隧道结。一种巨磁致电阻器件可包括:第一铁磁绝缘层;设置在所述第一铁磁绝缘层上的非磁导电层;以及设置在所述非磁导电层上的第二铁磁绝缘层。一种磁子场效应晶体管可包括:第一铁磁区域、第二铁磁区域和第三铁磁区域,其每个由铁磁材料形成,其中所述第二铁...
某些材料的电阻率在外磁场作用下发生改变的现象称为磁致电阻效应,利用该效应可以制作磁敏器件。为探究某磁敏器件材料的电阻率随外磁场的变化规律,设计如图甲所示电路。该器件在无外磁场时的阻值为 R_0 ,加磁感应强度为B的外磁场后,阻值变为R,阻值的变化量 △R=R-R_0 .相对变化率 (△R)/(R_0) 反Ro映...
本申请对象涉及磁致电阻存储器,其中,在较小的芯片面积情况下,通过以下方式改善了抗干扰性,即在两个互补位线之间存在垂直的字线,在位线和字线之间存在一正规的单元的、磁致电阻存储器系,在互补的位线和字线之间存在互补的存储单元从属的磁致电阻存储器系。
(10分)某些材料的电阻率在外磁场作用下发生改变的现象称为磁致电阻效应,利用该效应可以制作磁敏器件。 为探究某磁敏器件材料的电阻率随外磁场的变化规律,设计如图(a)所示电路。该器件在无外磁场时的阻值为 R_0 ,加磁感应强度为B的外磁场后,阻值变为R,阻值的变化量 △R=R-R_0 对变化 (△R)/(R_0) 反...
提供一种磁致电阻随机存取存储器。该磁致电阻随机存取存储器包括一个磁化矢量方向为固定的第一磁性层,一个在位置上与第一磁性层平行、一个磁化矢量方向可以被反转的第二磁性层,插入第一磁性层和第二磁性层之间的非磁性层,该第二磁性层的纵横比为2或更小,厚度为5nm或更小,饱和磁化强度为800emu/cm3或更小。磁致...