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巨磁电阻传感器的基本原理 磁电阻(GMR)效应是1988年发现的一种磁致电阻效应,由于相对于传统的磁电阻效应大一个数量级以上,因此名为巨磁电阻(Giant Magnetoresistanc),简称GMR。 对于物质磁电阻特性的研究由来已久,早在20世纪40年代人们就发现了磁电阻效应。所谓磁电阻是指导体在磁场中电阻的变化,通常用电阻...
磁电阻材料简单定义是:磁电阻效应,特指材料在磁场作用下电阻发生变化的现象。这种材料具有显著磁电阻效应,在受到外加磁场作用时引起的电阻变化,称为磁电阻效应。不论磁场与电流方向平行还是垂直,都将产生磁电阻效应。前者(平行)称为纵磁场效应,后者(垂直)称为横磁场效应。对于普通金属,电子的自旋不存在净的...
一、磁电阻传感器的工作原理 磁电阻传感器是利用材料的磁电阻效应设计的,它的原理是当有磁场作用时,材料的电阻值会发生变化。磁电阻传感器一般由两个钠铁石体(NiFe)薄膜组成。这两个薄膜之间有间隙,当有外界磁场作用时,两个薄膜的电阻值会发生变化,通过对两个薄膜的电阻值进行差分放大,...
近年来,利用超导技术与磁电阻传感器相结合,人们研制成功一种新型的磁电阻材料/超导复合式磁传感器,其探测精度有望达到fT量级,并在弱磁探测领域具有大规模应用的潜力。文章介绍了该类磁传感器的结构及工作原理,并根据磁电阻材料的不同,分别对巨磁电阻(GMR)和由作者...
巨磁电阻效应是1988年由法国科学家阿尔贝·费尔和德国科学家彼得·格林贝格尔分别独立研究而发现的【1,2】。 两位科学家研究的是纳米级别的铁鉻相间(Fe/Cr)多层结构。这种结构的制备要归功于1960年代后期贝尔实验室的华人科学家卓以和(AlfredY. Cho)和他的同事亚瑟(J. R. Arthur)发明...
磁性金属和合金一般都有磁电阻现象,所谓磁电阻是指在一定磁场下电阻改变的现象,人们把这种现象称为磁电阻。所谓巨磁阻就是指在一定的磁场下电阻急剧减小,一般减小的幅度比通常磁性金属与合金材料的磁电阻数值约高10余倍。 1988年法国巴黎大学的肯特教授研究小组首先在Fe/Cr多层膜中发现了巨磁电阻效应,在国际上引起了...
概念-磁阻效应:外加磁场引起的电阻的变化磁阻变化率:B0MR0 Magnetoresistance 分类正常磁电阻效应 一般非磁性材料磁电阻磁性材料磁电阻 反常磁电阻效应 巨磁电阻隧道磁电阻庞磁电阻 –GMR–TMR–CMR GiantTunnelingColossal §1-5-1.正常磁电阻 分类:一般非磁性材料...