9.3.2正向阻断模式和触发 9.3.1正向导通模式 9.2.4器件参数的温度特性 9.2.3开关特性 9.2.2阻断电压 9.2.1电流-电压关系 9.2绝缘栅双极型晶体管(IGBT) 9.1.10阻断电压 9.1.9共发射极电流增益:复合效应 9.1.8共发射极电流增益:温度特性 9.1.7集电区的大电流效应:二次击穿和基区扩散效应 9.1.6基区中的大...
《碳化硅技术基本原理 生长、表征、器件和应用》是一本有关碳化硅材料、器件工艺、器件和应用方面的书籍,其主题包括碳化硅的物理特性、晶体和外延生长、电学和光学性能的表征、扩展缺陷和点缺陷,器件工艺、功率整流器和开关器件的设计理念,单/双极型器件的物理和特征、击穿现象、高频和高温器件,以及碳化硅器件的系统应用,...
《官网正版 碳化硅技术基本原理 生长表征器件和应用 木本恒暢 电力 功率器件 半导体 智能电网 微电子 机械工业出版社旗舰店》,作者:官网正版 碳化硅技术基本原理 生长表征器件和应用 木本恒暢 电力 功率器件 半导体 智能电网 微电子 机械工业出版社旗舰店木本恒畅詹姆士A.
本书是一本有关碳化硅材料、器件工艺、器件和应用方面的书籍,其主题包括碳化硅的物理特性、晶体和外延生长、电学和光学性能的表征、扩展缺陷和点缺陷,器件工艺、功率整流器和开关器件的设计理念,单/双极型器件的物理和特征、击穿现象、高频和高温器件,以及碳化硅器件的系统应用,涵盖了基本概念和新发展现状,并针对每个主题...
6.1.1.1基本原理6.4.1n型和p型SiC的肖特基接触6.4金属化第6章碳化硅器件工艺《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》往期内容:6.3.7迁移率限制因素∈《碳化硅技术基本原理 2022-01-24 14:08:51 6.1.1 选择性掺杂技术∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》 ...
本书是一本有关碳化硅材料、器件工艺、器件和应用方面的书籍,其主题包括碳化硅的物理特性、晶体和外延生长、电学和光学性能的表征、扩展缺陷和点缺陷,器件工艺、功率整流器和开关器件的设计理念,单/双极型器件的物理和特征、击穿现象、高频和高温器件,以及碳化硅器件的系统应用,涵盖了基本概念和新发展现状,并针对每个主题...
第4章 碳化硅外延生长70 第5章 碳化硅的缺陷及表征技术117 第6章 碳化硅器件工艺177 第7章 单极型和双极型功率二极管262 第8章 单极型功率开关器件286 第9章 双极型功率开关器件336 第10章 功率器件的优化和比较398 第11章 碳化硅器件在电力系统中的应用425 ...
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