碳化硅MOSFET的结构 常见的平面型(Planar)碳化硅MOSFET的结构如图7所示。为了减小通道电阻,这种结构通常设计为很薄的门极氧化层,由此带来在较高的门极输入电压下门极氧化层的可靠性风险。为了解决这个问题英飞凌科技有限公司的碳化硅MOSFET产品CoolSiC™采用了不同的门极结构,该结构称为沟槽型(Trench)碳化硅
其基本结构由以下几个组件组成。 首先,碳化硅MOSFET的主体是由碳化硅材料制成的p型或n型硅碳化物晶体。碳化硅具有较大的能带宽度和较高的击穿电场强度,这使得器件具有更高的开关速度和耐受尖峰电压的能力。 接下来,沟道区是位于碳化硅主体上的一层非导电材料。通常,氧化硅(SiO2)用于制作沟道氧化层,该层具有良好的电...
碳化硅MOSFET是一种以碳化硅为半导体材料的金属氧化物场效应晶体管，其基本结构主要包括以下几个部分：衬底：碳化硅的衬底是MOSFET的基础，通常采用4H-SiC或6H-SiC等晶体结构。相较于传统的硅材料，SiC具有更高的击穿电压和热导率。源极(Source)：源极是与负载相连的电极，负责为MOSFET提供电流。在SiC MOSFET中，源极...
碳化硅（SiC）MOSFET的主要结构部分包括碳化硅材料、金属源极、金属漏极以及栅极氧化物。这些组件的巧妙组合与协同作用，共同赋予了该器件卓越的性能。接下来，我们将逐一探究这些结构部分的特性与功能。碳化硅衬底 SiC MOSFET的衬底采用碳化硅材料，其独特性质包括高热导率、高临界电场强度以及宽带隙，赋予了该器件在高温、...
碳化硅MOSFET结..碳化硅MOSFET的结构常见的平面型(Planar)碳化硅MOSFET的结构如图7所示。为了减小通道电阻,这种结构通常设计为很薄的门极氧化层,由此带来在较高的门极输入电压下门极氧化层的可靠性风险。为了
碳化硅MOSFET与传统的硅基MOSFET在结构上具有相似性,如都包含栅极、源极、漏极和导电通道。然而,由于材料的不同(碳化硅与硅),两者在实际应用中表现出显著的性能差异。 1. 材料差异带来的性能提升:碳化硅具有更高的热导率和更高的耐压能力,使得碳化硅MOSFET能够在高温、高压环境下稳定工作,且具有更快的开关...
碳化硅MOSFET器件结构和特性 对于硅,随着耐压的升高,每单位面积的电阻也会增加(大约是耐压的2.5次方的平方)。因此,IGBT(绝缘栅双极晶体管)主要用于600V以上的电压。IGBT能够通过电导调制提供比MOSFET更低的导通电阻,其中少数载流子(空穴)被注入漂移层。 然而,这会导致在关断期间产生由少数载流子积累引起的尾电流,从而导...
如何控制SiC MOSFET生产过程中产生的缺陷,提高生产过程中的良率,依然是各厂家需要面对的重要的问题,其不仅关系到产品的成本,更关系到产品在客户应用的可靠性。 图8:平面结构SiC MOSFET基本工艺 图9:平面结构SiC MOSFET工艺成本占比 碳化硅SIC Mosfet选型表【免费申请样品】www.ewsemi.com/4732#617816696 发布于...
一、碳化硅MOSFET的基本结构 碳化硅MOSFET,作为第三代半导体材料的重要代表,其基本结构主要包括栅极(Gate)、源极(Source)、漏极(Drain)和通道(Channel)。其中,栅极用于控制MOSFET的导通与关断,是操控电流的关键;源极和漏极则分别作为MOSFET的输入和输出端;而通道则是源极和漏极之...
1空穴hole其实是可以移动的，从一个共价键转移到另一个共价键，移动过程中产生电流 2电子electron 移动...