简述什么是硅热氧化以及氧化的工艺目的、氧化方式及其化学反应式。 相关知识点: 试题来源: 解析硅热氧化是氧分子或水分子在高温下与硅发生化学反应,并在硅片表面生长氧化硅的过程。 氧化的工艺目的:在硅片上生长一层二氧化硅层以保护硅片表面、器件隔离、屏蔽掺杂、形成电介质层等。
反应方程式：SiCl4(g)+2H2(g)===（高温）Si(s)+4HCl(g)，它的反应热是？已知Si－Cl、H－H、H－Cl、Si－Si的键能分别为360、436、431、176KJ/mol，反应热为什么是236KJ/mol，而不是588KJ/mol呢？解答！ 满意答案゛一笑奈何灬9级2011-04-07因为一个硅里有两个硅硅键，这样就能算对了 ...
1. 氧化反应 半导体硅片加热后,表面会出现一层氧化硅层。硅在高温下与氧气反应生成二氧化硅,阻止了进一步的氧化反应,从而形成一层氧化硅层,用于保护硅片表面不受进一步氧化和污染。 2. 还原反应 当半导体硅片在高温下加热,其中的杂质会在硅的表面析出,与氧气、硅产生还原反应。这些杂质包括金属离子、氮、氧...
冶炼金属硅还原反应所需的大量的热占热消耗的6972主要来源于电极底部工作端的电弧高温燃烧区在这个燃烧区形内成一个气体空穴也称高温反映区在这个具有极高温度的空穴内进行着物质的熔化分解化合离子化汽化沸腾升华和相变等等多种激烈复杂的反应 金属硅冶炼的热化学反应理论...
半导体硅片的加热反应是制造过程中一个复杂而关键的过程，涉及多种化学反应和物理变化。1、氧化反应 当硅片加热时，其表面会形成一层氧化硅层，硅与氧气反应生成二氧化硅。这层氧化硅层能够保护硅片免受进一步氧化和污染。2、还原反应 在高温下，硅片中的杂质会析出并与氧气、硅发生还原反应，这些杂质包括...
SiO2+CaO=CaSiO3 除去二氧化硅杂质
当硅片在高温下加热，其中的杂质会析出并与氧气、硅发生还原反应，影响半导体性能。为了控制这种反应，需要精确控制加热反应的条件。此外，在高温下，硅片还会发生晶化反应，生成单晶硅层，提高硅片性能。半导体硅片加热反应的研究对半导体制造至关重要。在切割过程中，加热可以使硅片变软，易于切割。在有机硅和...
添加适量的氧化钙是为了降低渣中二氧化硅的活度。另外还有一个作用，就是降低发生反应的温度。
1mol Si ~ 2mol Si-Si 1mol O2 ~ 1mol O=O 1mol SiO2 ~ 4mol Si-O 能量守恒 (498.8 + 2 * 176) - 4x = -989.2 x = 460 每个Si形成4个键，形成每个键用2个原子，因此是4/2=2 而Si-O只用1个Si，所以是4/1=4
硅酸加热分解反应方程式为SiO2 → SiO + O2。这是一种热分解反应,也称为热解反应。在这个反应中,硅酸分子被加热,分解成硅单质和氧气分子。 硅酸是一种无机化合物,化学式为SiO2。它是地球上最常见的化合物之一,存在于许多矿物和岩石中。硅酸的分解需要高温,通常在1500℃以上才能发生。这是因为硅酸的键能非常强,需...