首先,带生长要避免材料损失在不同所有铸锭技术的不利影响,如提 拉法生长和定向凝固过程,其中 45-55%硅产量出现由于截口损失在于扩展,砖加工,和切 片操作。 其次, 通过在一个非常大的区域延伸凝固界面, 从而促进垂直拉伸方向的潜热散失, HRG 取得了增长率为 1 米/分钟高两个数量级大于垂直带状生长过程,如边馈...
规范用词硅带生长 英文翻译silicon ribbon growth 所属学科电子学>半导体物理与半导体材料 名词审定电子学名词审定委员会 见载刊物《电子学名词》 科学出版社 公布时间1993年 半导体物理与半导体材料 的上级学科 电子学
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9.1.4衬底上带硅生长技术 9.1.5工艺粉末带硅生长技术 9.2带硅生长基本问题 知识拓展 教学目的 1、了解三种技术的工艺过程 2、掌握各种技术中带硅厚度的影响因素 3、通过比较使学生掌握各项技术的优缺点及目前应用状况 教学重点 掌握各项技术的工艺过程 掌握厚度的影响因素 教学难点 掌握各种技术中带硅厚度的影响因素...
如黑色金属,铁,铜,不锈钢,铋,铝,锡,铬,铅,镍,镁等;玻璃熔体,钠玻璃,冰晶石等;硅熔岩:炉渣,氟化物等,可作为盛装容器,坩埚,承烧板等。2.氮化硼的各项性能参数n 高耐热性3000℃升华,其强度1800℃为室温的2倍,1500℃空冷至室温数 十次不破裂,在惰性气体中2800℃不软化。n 高导热系数热压制品为33W/M.K和...
包括以下步骤:由传送装置带动硅钢带材以速度2-10m/min传输;脉冲电源通过一对电接触装置将脉冲电流导入运动着的硅钢带材加电区域段,在空气氛围下对硅钢带材加电区域段连续进行电刺激处理,促进初次再结晶过程中生成大量的GOSS织构;其中,所述硅钢带材是高磁感冷轧态的硅钢带材,厚度为0.1-0.5mm,宽度10-150mm,硅含量为...
CZ法工艺成熟可拉制大直径硅锭,但受坩锅熔融带来的O等杂质浓度高,存在一定杂质分布,因此,相对于MCZ和FZ法,生长的硅锭质量不高。当前仍是生产大直径硅锭的主要方法。MCZ法是在CZ技术基础上发展起来的,生长的单晶硅质量更好,能得到均匀、低氧的大直径硅锭。但MCZ设备较CZ设备复杂得多,造价也高得多,强磁场的存在...
用Fourier变换红外吸收光谱(FT-IR)和深能级瞬态谱(DLTS)技术研究了γ射线辐照与中子辐照硅,发现γ射线辐照单晶硅中双空位的产生率很低,可以用它帮助鉴别辐照点缺陷。γ射线辐照氢气氛生长硅产生的Si—H中心伸缩振动吸收带数目较中子辐照的为少,只产生了1832,2054和1980cm~(-1)三条新的谱带。本文讨论了它们的模型...
比较硅单晶锭CZ,MCZ和FZ三种生长方法的优缺点。答:CZ直拉法工艺成熟,可拉出大直径硅棒,是目前采用最多的硅棒生产方法。但直拉法中会使用到坩埚,而坩埚的使用会带来污染