硅基多功能芯片 指标型号 频率范围 (GHz) 通道数 发射 增益 (dB) 接收增益 (dB) 输入/ 输出驻波 发射 P1dB (dBm) 移相位数 移相精度 (°) 衰减位数 衰减精度 (dB) 单通道 接收工 作电流 (mA) 单通道 发射工 作电流 (mA) 控制方式 S4501A03 8~12 4 2(含功分器) -6(含功分器) 1.5/1.5 7...
硅基大空腔中芯片埋入式技术 通过刻蚀获取硅空腔,把芯片埋入空腔,实现芯片背面的散热,通过重布线技术把芯片正面I/O引出。ꄴ上一个: 微凸块制备技术(micro-bump),和芯片与硅基转接板(C2W)之间的键合技术 ꄲ下一个: IPD技术 通过刻蚀获取硅空腔,把芯片埋入空腔,实现芯片背面的散热,通过重布线技术把芯片...
通过芯片、转接板上的微凸块对准倒装键合方式,把不同芯片集成在硅转接板上,实现不同芯片的集成。ꄴ上一个: 无 ꄲ下一个: 硅基大空腔中芯片埋入式技术 通过芯片、转接板上的微凸块对准倒装键合方式,把不同芯片集成在硅转接板上,实现不同芯片的集成。联盟...