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图1是示出本发明的第一实施例的cmp研磨装置的研磨头的示意截面图。 图2是示出本发明的第二实施例的cmp研磨装置的研磨头的示意截面图。 图3是示出本发明的第三实施例的cmp研磨装置的研磨头的示意截面图。 图4是示出本发明的第四实施例的cmp研磨装置的研磨头的示意截面图。 图5是示出本发明的第五实施例的cmp研...
本发明其他方式的研磨装置的特征在于,具备:研磨台,该研磨台支撑研磨垫;研磨头,该研磨头将基板按压于前述研磨垫来研磨前述基板;存储装置,该存储装置存储有分别包含对应于不同膜厚的多个参考光谱的多个光谱群;及光学式膜厚测定器,该光学式膜厚测定器取得前述基板的膜厚,前述光学式膜厚测定器按如下方法取得前述基板...
日立新推出的IM4000离子研磨仪既可以对样品进行氩离子截面切割,可以进行氩离子平面研磨,是截面样品制备和平面样品无应力抛光的理想工具。IM4000日立高新离子研磨装置 日立高新离子研磨装置IM4000具有断面加工和平面研磨功能的混合仪器! 日立高新离子研磨装置IM4000的混合模式带有两种研磨配置:...
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PELCO精密研磨装置,PELCO精密研磨装置适合在金相试样、单晶片、电子材料、玻璃、岩石或其他材料样品上制备平面、平行面等高度抛光的表面。研磨硬质材料时,先用环氧树脂等包埋样品,可以避免圆角或过度抛光,特别适用于手工磨抛半导体、
本发明的研磨装置为利用砂轮研磨被研磨物的研磨装置,其特征在于,具备:主轴驱动部,其使可安装所述砂轮的主轴旋转;移动部,其使所述主轴驱动部沿接近远离所述被研磨物的方向移动;及倾斜测量部,其测量所述主轴驱动部的移动所伴随的所述主轴的倾斜的变化。
在此研磨装置101中,利用研磨头104来保持晶圆w,并从研磨剂供给机构106供给研磨剂至研磨布102上,并且使平台103与研磨头104各自旋转来使晶圆w的表面与研磨布102作滑动接触,由此实行研磨。另外,研磨装置101也具备使平台103摇动的机构。由此,能够抑制研磨布102的微小的凹凸、或沟的图案的转印。 另外,半导体晶圆的研磨,...