文章详细计算和分析了p-n结、p-p结及肖特基结界面势垒在调控电化学信号中的不同作用,并通过蛋白质分子实验在不同溶液环境下验证了调控效果。结果表明,可通过合理设计半导体界面借助势垒高度的增加和降低来实现对具有相似氧化还原特征的不同物质电化学响应的增强和削弱,从而实现对特定物质的高灵敏、低干扰检测。 图一N...
近日, 西北工业大学冯丽萍教授等人在Science China Materials发表研究论文,以Bi 2 OS 2 (拥有目前二维半导体材料中已知的最高电子迁移率)作为二维沟道层,采用密度泛函理论系统地计算了其与金属电极接触界面的肖特基势垒以及界面电荷转移机制。 本文要点: 1) 当Bi 2 OS 2 与三维金属电极接触时,界面强的电荷转移主要由...
当吸附正电分子(e)和负电分子(f)导致的界面肖特基势垒的改变。 【小结】 本文提出了一种将物理因子用于电化学信号调控的机理,通过理论和实验分析验证了半导体界面势垒的有效调控特征,为解决电化学检测中遇到的瓶颈提供了一种新的思路,该电化学传感器件设计思路有望在医疗、环境检测中得到广泛应用,同时也有望对其他异质...