考虑一个电阻负载反相器电路:VDD=5V,KN`=20uA/V2 ,VT0=0.8V,RL=200KΩ,W/L=2。计算VTC曲线上的临界电压值(VOL、VO
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考虑下面的反相器设计问题:给定VDD=5V,KN`=30uA/V2 ,VT0=1V 设计一个VOL=0.2V的电阻负载反相器电路,并确定满足VOL条件时的晶体管的宽长比(W/L)和负载电阻RL的阻值。 14. 相关知识点: 试题来源: 解析解: 1)Vin=0时,MI截止 ML:VDSL= VGSL=VDD-Vout=VDD-VOL ...
数字集成电路英文课件：Chapter 4 电阻负载型反相器的设计 4.2电阻负载型反相器的设计-3VOL ≈❖当Vin=VOHVDD时，NMOS导通，晶 体管将工作于线性区，此时流过电阻 及驱动管的电流相等，反相器的输入 电压为VOH，输出电压为VOL IRIDS(lin)VDDVOLWN nCox RL LN21VOL/ECL 2VOHVT VOLVO2L ❖由于VOL很小，...
问答题考虑一个电阻负载反相器电路:VDD=5V,KN`=20uA/V2,VT0=0.8V,RL=200KΩ,W/L=2。计算VTC曲线上的临界电压值(VOL、VOH、VIL、VIH)及电路的噪声容限,并评价该直流反相器的设计质量。 参考答案: 你可能感兴趣的试题 1.问答题简述CMOS反相器功耗的组成?
考虑一个电阻负载反相器电路:VDD=5V,KN`=20uA/V2 ,VT0=0.8V,RL=200KΩ,W/L=2。计算VTC曲线上的临界电压值(VOL、VOH、VIL、VIH)及电路的噪声容限,并评价该直流反相器的设计质量。 参考答案: 您可能感兴趣的试卷你可能感兴趣的试题 1.名词解释CE理论 参考答案:器件尺寸可以减小寄生电容和沟道...
百度试题 题目TTL电路时间延迟的主要原因是由载流子的聚集和消散引起的,CMOS反相器产生传输延迟的主要原因是由于集成电路 。? 内部电阻和容性负载电源反相器电阻 相关知识点: 试题来源: 解析 内部电阻和容性负载 反馈 收藏
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1、Digital Integrated CircuitsFaculty of Materials and Energy, GDUT14.2 电阻负载型反相器的设计-3 VOL当Vin=VOHVDD时,NMOS导通,晶体管将工作于线性区,此时流过电阻及驱动管的电流相等,反相器的输入电压为VOH,输出电压为VOL由于VOL很小,可忽略VOL的平方项及VOL/ECL,上式可改写为Digital Integrated Circuits...
电路设计中,需要合理的设计有比反相器的器件尺寸。Digital Integrated CircuitsFaculty of Materials and Energy, GDUT* NMOS晶体管作为负载器件-2 VOH当Vin输入低电平时,下 数字集成电路英文课件:Chapter 4 电阻负载型反相器的设计 来自淘豆网www.taodocs.com转载请标明出处....