报导了以三氛化磷为淀积多晶硅薄膜的修杂剂实验结果.文 中还 分析了 多晶 硅对 C C D 器 件性 能的影响.由 于硅 烷的热分解温度低,对装 置材 料没 有腐 蚀作用,分 解反 应也不形 成有 害的物质,而且硅 烷热 分解汽相淀积多晶硅的方法 与蒸发法、溅射 法相 比,所淀积的膜纯度高、晶 粒细,...
至今,用热氧化,热分解淀积SiO_2... 陈志豪 - 《Chinese Science Bulletin》 被引量: 0发表: 1983年 Two-dimensional patterned nc-Si arrays prepared by the method of laser interference crystallization激光干涉结晶技术制备二维有序分布纳米硅阵列 原始样品是用等离子体 增强化学气相淀积法生长.a-Si:H层厚为...
百度试题 结果1 题目[填空题] 热分解化学气相淀积二氧化硅是利用()化合物,经过热分解反应,在基片表面淀积二氧化硅。相关知识点: 试题来源: 解析 含有硅的化合物 反馈 收藏
LPCVD淀积多晶硅常用温度为600-650℃,采用热分解法,反应方程式为:()。A.SiCl 4 →Si+2Cl 2B.SiH 4 →Si+2H 2C.Si 3 N
参活领使论工直着热权民维原参活领使论工直着热权民维原填空题 热分解化学气相淀积二氧化硅是利用()化合物,经过热分解反应,在基片表面淀积二氧化硅。参活领使论工直着热权民维
热分解淀积 热分解淀积（thermal decomposition deposition）是1993年公布的电子学名词。公布时间 1993年，经全国科学技术名词审定委员会审定发布。出处 《电子学名词》第一版。