本实用新型通过电场调节结构可调节电场分布,解决漏极区与体接触区之间隔离结构拐角处因尖端效应导致电场强度高易发生击穿的问题,以达到提高半导体结构源漏击穿电压(BVds)的效果,且制备工艺简单,无需额外增加光罩、无需改变工艺步骤,且不会引入额外成本。
提高衬底掺杂浓度,能够有效避免 漏 - 衬底 pn 结雪崩击穿。A.正确B.错误的答案是什么.用刷刷题APP,拍照搜索答疑.刷刷题(shuashuati.com)是专业的大学职业搜题找答案,刷题练习的工具.一键将文档转化为在线题库手机刷题,以提高学习效率,是学习的生产力工具
一种改善沟槽型SiCVDMOSFET器件漏源击穿电压结构专利信息由爱企查专利频道提供,一种改善沟槽型SiCVDMOSFET器件漏源击穿电压结构说明:本发明涉及沟槽型SiC VDMOSFET器件技术领域,且公开了一种改善沟槽型SiC VDMOSFET...专利查询请上爱企查
图三显示了功率MOSFET的电流和电压特征。一般漏电流在250μA时测量BVDSS。当漏极电压低于BVDSS且栅极上没有偏压时,在栅极板下表层不形成沟道,且漏极电压全部由反向偏压的体漂移p-n结承受。 器件设计不良或处理不好会出现两种现象:晶体管穿通现象(Punch-through)和击穿现象(Reach-through)。
百度试题 题目随着uGS的增大,结型场效应管的漏源击穿电压U(BR)DS将如何变化?。 A.增大B.减小C.不变D.无法判断相关知识点: 试题来源: 解析 A 反馈 收藏
淘宝买的便宜mlcc..各类电感磁珠尺寸规格如下敞开式贴片电感:CD31、CD32、CD42、CD43、CD53、CD54、CD73、CD75、CD105、CD108屏蔽式D类电感:2D11、2D14、2D18、3D11、3
在进行避雷器直流泄漏试验时,可能会出现避雷器被击穿的情况,而这种情况一般是因为试验过程中超过了设备所承受的电压,导致避雷器不能正常工作。如果出现避雷器击穿,就需要重新更换,这会增加额外的成本和时间。 三、测试结果分析 为了验证避雷器进行直流泄漏试验可能被击穿...
老哥们,我加水冷的时..老哥们,我加水冷的时候不小心漏了几滴到主板上,结果就炸了,看看这种情况,还能修么,一个是南桥击穿,一个是1070供电那一片烧焦了
本发明公开了一种高击穿电压低反向漏电的垂直GaN肖特基器件结构,包括第一导电类型高掺杂GaN层、第一导电类型低掺杂GaN层、第二导电类型NiO填充层、SiO2与Si3N4混合介质层、浮空金属场板、欧姆阴极和肖特基阳极、蓝宝石衬底和AlN成核层。本发明提到的器件结构运用了两步刻蚀工艺,克服了深刻蚀技术的操作性难题;设计的第...
电子元器件篇-场效应晶体管 | 场效应晶体管是一种典型的电压控制型半导体器件,场效应晶体管是电压控制器件,具有输入阻抗高,噪声小,热稳定性好。便于集成等特点,但是容易被静电击穿。【分类】场效应晶体管有三只引脚,分别为漏极(D)、源极(S)、栅极(G)...