后道主要有打线、Bonder、FCB、BGA植球、检查、测试等。又分为湿制程和干制程。湿制程主要是由液体参与...
半导体设备分为前道和后道，前道主要是光刻、刻蚀机、清洗机、离子注入、化学机械平坦等。后道主要有打线、Bonder、FCB、BGA植球、检查、测试等。又分为湿制程和干制程。湿制程主要是由液体参与的流程，如清洗、电镀等。干制程则与之相反，顾名思义是没有液体的流程。其实半导体制程大部分是干制程。...
干蚀刻:利用不易被物理、化学作用破坏的物质光阻来阻挡不欲去除的部分,利用电浆的离子轰击效应和化学反 应去掉 想去除的部分,从而将所需要的 线路图形留在玻璃基板上。干蚀刻等向性蚀刻与异向性蚀刻同时存在。 湿蚀刻:利用化学药液将需要蚀刻掉的物质蚀刻掉。湿蚀刻为等向性蚀刻。湿蚀刻机台便宜,蚀刻速度快,但难...
半导体制程中，用到的湿滞程（wetorocessing）以晶圆洗净（wafercleaning）和湿蚀刻(wet etching)为主。晶圆洗净是尤其重要的，它约占全部ULSI制程步骤的30%。洗净的目的是去除金属杂质，有机物污染及微尘。并要考虑表面粗糙程度，及可能形成的自然氧化物(native oxide)之清除。金属杂质如铁、金会造成p-n接面的漏电...
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【半导体刻蚀的分类】 1)刻蚀设备按照刻刻蚀方式可以分为湿法刻蚀和干法刻蚀,但是湿法刻蚀由于刻蚀的精度较低,在制程不断微缩的情境下,逐渐被干法刻蚀取代,在部分制程要求不太精密的芯片上在使用湿法刻蚀。而按照蚀对象划分可以分为介质刻蚀和导体刻蚀(导体刻蚀又可以
求情气造阶着制程交低织每因里求情气造阶着制程交低织每因里读“四城市降水量柱状图”和“中国干湿地区图”,完成下列问题。求情气造阶着制程交低织每因里求情气造阶着制程交低织每因
上海新阳主营产品名称 SZ300236主营产品名称大马士革铜互连、TSV、Bumping电镀液及配套添加剂、铜制程蚀刻后清洗液、铝制程蚀刻后清洗液、氮化硅/钛蚀刻液、化学机械研磨后清洗液、I线光刻胶、KrF光刻胶、ArF干法、浸没式光刻胶以及稀释剂、底部抗反射膜、浅槽隔离研磨液、
蚀刻分为干蚀刻与湿蚀刻,其区别如下: 干蚀刻:利用不易被物理、化学作用破坏的物质光阻来阻挡不欲去除的部分,利用电浆的离子轰击效应和化学反 应去掉 想去除的部分,从而将所需要的 线路图形留在玻璃基板上。干蚀刻等向性蚀刻与异向性蚀刻同时存在。 湿蚀刻:利用化学药液将需要蚀刻掉的物质蚀刻掉。湿蚀刻为等向性...
蚀刻分为干蚀刻与湿蚀刻,其区别如下: 干蚀刻:利用不易被物理、化学作用破坏的物质光阻来阻挡不欲去除的部分,利用电浆的离子轰击效应和化学反 应去掉 想去除的部分,从而将所需要的 线路图形留在玻璃基板上。干蚀刻等向性蚀刻与异向性蚀刻同时存在。 湿蚀刻:利用化学药液将需要蚀刻掉的物质蚀刻掉。湿蚀刻为等向性...