淀积率 释义 deposition rate 沉积速度,沉积速率,熔敷速度; 行业词典 电子学 deposition rate
盐雾沉降率的计算公式是G=V/t。根据查询盐雾规定显示，沉淀率的计算公式是G=V/t。盐雾是指大气中由含盐微小液滴所构成的弥散系统，是人工环境三防系列中的一种，很多企业产品需模拟海洋周边气候对产品造成的破坏性。
其中,功率与压力对淀积速率的影响最大。在某些薄膜制备过程中,反应物的浓度也可作为一个影响淀积速率的重要参数。 二、折射率的影响 折射率是描述一个材料对光的折射程度的物理量。在薄膜研究中,折射率是一种重要的表征薄膜绝缘性、光学性质以及厚度和成分的工具。 薄膜折射率受到薄膜成分和制备过程的影响。...
传统PECVD高品质氢化非晶硅的淀积率 颜一凡 (湖南大学物理系,长沙,410082) 2002205220收稿;2002209215收改稿 摘要:根据Winer模型,联合Winer模型和Street的氢化学势理论,分别研究了传统PECVD(CPECVD)高 品质氢化非晶硅( HQa2Si:H)的淀积率上限rdup和淀积率rd与a2Si:H缺陷密度ND的关系。得到的结论是:(1)...
答:①主气体流速Um对CVD淀积速率G的影响 根据CVD的Grove模型,假设反应剂气体在边界层中的浓度梯度为线性变化,则边界层中的气体扩散流密度F1为 F1=hg(Cg-Cs)= Dg(Cg-Cs)/δs (1) 式中,Cg是主气流中的气体浓度,Cs是淀积表面的气体浓度,气相质量传输系数hg=Dg/δs,边界层平均厚度δs=2L/3,而雷诺系数Re...
控制方式是：APCVD是常压CVD，LPCVD是低压CVD，PECVD等离子体增强CVD。利用加热、等离子激励或光辐射等各种能源，提高淀积速率。从气相中析出的固体的形态主要有下列几种：在固体表面上生成薄膜、晶须和晶粒，在气体中生成粒子。采用某种基底材料，沉积物达到一定厚度以后又容易与基底分离，这样就可以得到各种...
磁控溅射淀积速率影响因素及最佳工艺参数研究
CVD技术是化学气相沉积Chemical Vapor Deposition的缩写。化学气相沉积乃是通过化学反应的方式，利用加热、...
淀积速率影响因素 第1篇 试析影响植物呼吸速率的因素 新疆阿勒泰●周世光 摘要:新课程经历一轮实践, 仍然普遍出现教学目标不能有效达成的现象。许多学生在高一学过一阶段生物后就反映这节内容太难, 做题时又无从下手, 影 响了学习的积极性。 关键词:植物;呼吸速率;温度 ...