淀积速率受到多个因素的影响,如功率、压力、流量和反应物浓度等。其中,功率与压力对淀积速率的影响最大。在某些薄膜制备过程中,反应物的浓度也可作为一个影响淀积速率的重要参数。 二、折射率的影响 折射率是描述一个材料对光的折射程度的物理量。在薄膜研究中,折射率是一种重要的表征薄膜绝缘性、光学性质以及...
盐雾沉降率的计算公式是G=V/t。根据查询盐雾规定显示，沉淀率的计算公式是G=V/t。盐雾是指大气中由含盐微小液滴所构成的弥散系统，是人工环境三防系列中的一种，很多企业产品需模拟海洋周边气候对产品造成的破坏性。
淀积率 释义 deposition rate 沉积速度,沉积速率,熔敷速度; 行业词典 电子学 deposition rate
答:①主气体流速Um对CVD淀积速率G的影响 根据CVD的Grove模型,假设反应剂气体在边界层中的浓度梯度为线性变化,则边界层中的气体扩散流密度F1为 F1=hg(Cg-Cs)= Dg(Cg-Cs)/δs (1) 式中,Cg是主气流中的气体浓度,Cs是淀积表面的气体浓度,气相质量传输系数hg=Dg/δs,边界层平均厚度δs=2L/3,而雷诺系数Re...
摘要:根据W iner 模型,联合W iner 模型和Street 的氢化学势理论,分别研究了传统PECVD (CPECVD )高品质氢化非晶硅(HQ a 2Si :H )的淀积率上限r dup 和淀积率r d 与a 2Si :H 缺陷密度N D 的关系。得到的结论是:(1)r dup =1.6nm s (目前实验上r d 已接近1.0nm s )。(2)对每一优化淀积...
磁控溅射淀积速率影响因素及最佳工艺参数研究
控制方式是：APCVD是常压CVD，LPCVD是低压CVD，PECVD等离子体增强CVD。利用加热、等离子激励或光辐射等各种能源，提高淀积速率。从气相中析出的固体的形态主要有下列几种：在固体表面上生成薄膜、晶须和晶粒，在气体中生成粒子。采用某种基底材料，沉积物达到一定厚度以后又容易与基底分离，这样就可以得到各种...
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淀积速率与蒸发材料温度腔体形状等因素有关。淀积速率通常用石英晶体速率指示仪测量。所用器件为一个谐振板，它可以在谐振频率下振荡，工作时测量其振荡频率。原理：因为晶体顶部有材料蒸发淀积，所外加的质量将使得频率偏移，由测得的频率移动可得出淀积速率。淀积足够厚的材料后，谐振频率会移动几个百分点，振荡器便会...