GMR相对于AMR有更好的灵敏度,且磁场工作范围更宽。 TMR(Tunnel Magneto Resistance)元件是近年来新型磁电阻效应传感器,其利用的是磁性多层膜材料的隧道磁电阻效应对磁场进行感应,比之前所发现并实际应用的AMR元件和GMR元件具有更大的电阻变化率。我们通常也用磁隧道结(Magnetic Tunnel Junction,MTJ)来代指TMR元件,MTJ...
丰林电子代理的Allegro产品线,覆盖上述所hall器件和GMR 器件。 AMR、GMR与TMR主要应用于角度传感器,磁编码器 ,TMR技术性能比GMR有优势,TMA应工艺原因,价格稍高一点
技术支持 采购服务 磁传感器广泛用于现代工业、汽车和电子产品中以感应磁场强度来测量电流、位置、角度、速度等物理参数。在现有技术中,磁传感器包含霍尔(Hall)元件、各向异性磁电阻AMR(Anisotropic Magneto resistance, AMR)元件、巨磁电阻GMR(Giant Magneto resistance, GMR)元件及隧道磁电阻TMR(Tunnel Magneto Resistance...
GMR相对于AMR有更好的灵敏度,且磁场工作范围更宽。 TMR(Tunnel Magneto Resistance)元件是近年来新型磁电阻效应传感器,其利用的是磁性多层膜材料的隧道磁电阻效应对磁场进行感应,比之前所发现并实际应用的AMR元件和GMR元件具有更大的电阻变化率。我们通常也用磁隧道结(Magnetic Tunnel Junction,MTJ)来代指TMR元件,MTJ...