简述MOSFET的短沟道效应和窄沟道效应,它们分别会对器件的的哪一个参数发生什么样的影响?(6分)(1)沟道长度方向的尺寸效应:当沟道长度缩短到与漏源结深相比拟时,栅压所
百度试题 题目为了避免短沟道效应,可采用按比例缩小法则,当MOSFET的沟道长度缩短一半时,其沟道宽度应(),栅氧化层厚度应(),源、漏区结深应(),衬底掺杂浓度应()。相关知识点: 试题来源: 解析 增大;减小;增大;增大 反馈 收藏
因此本发明的目的是要提供具有能够缩短MOS晶体管沟道长度的半导体器件。 本发明的另一目的是要提供能够减少布线面积以增加逻辑电路集成度的半导体器件。 按照包括一个MOS晶体管的半导体器件来说,在硅衬底上形成第一半导体层且有一个栅区。接着,通过栅氧化膜在第一半导体层上面形成第二半导体层并有一有源区。在此,有...
为了避免短沟道效应,可采用按比例缩小法则,当MOSFET的沟道长度缩短一半时,其沟道宽度应(),栅氧化层厚度应(),源、漏区结深应(),衬底掺杂浓度应()。 答案: 增大;减小;增大;增大 点击查看答案 手机看题 你可能感兴趣的试题 填空题 在长沟道MOSFET中,漏极电流的饱和是由于(),而在短沟道MOSFET中,漏极电流...
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百度试题 题目阈电压V的短沟道效应是指,当沟道长度缩短时,V变()。相关知识点: 试题来源: 解析 减小 反馈 收藏
为了避免短沟道效应的发生,可采用按比例缩小法则,当MOSFET的沟道长度缩短一半时,其沟道宽度应缩短一半。A.正确B.错误
P沟道和N沟道MOSFET在开关电源中的应用 MOSFET在导电过程中有电子流动。 P沟道在导电期间使用被称为空穴的正电荷。电子的流动性是空穴的三倍。尽管没有直接的相关性,就RDS(on)而言,为得到相等的值,P沟道的管芯尺寸大约是N沟道的三倍。因此N 24不可说 2018-03-03 13:58:23 二维半导体晶体管实际沟道长度的...
沟道长度缩短有可能对MOSFET器件产生哪些影响( )。A.阈值电压增大B.器件的集成度增加C.器件的漏极电流增大D.器件的可靠性劣化的答案是什么.用刷刷题APP,拍照搜索答疑.刷刷题(shuashuati.com)是专业的大学职业搜题找答案,刷题练习的工具.一键将文档转化为在线题库手机刷题,
阈值电压VT的短沟道效应是指,当沟道长度缩短时, VT变大。A.正确B.错误的答案是什么.用刷刷题APP,拍照搜索答疑.刷刷题(shuashuati.com)是专业的大学职业搜题找答案,刷题练习的工具.一键将文档转化为在线题库手机刷题,以提高学习效率,是学习的生产力工具