词目：沟道技术 英文：channeling technique 介绍：束的沟道成分起探针的作用，它能探测从晶格替代的位置上位移超过大约0.01～0.02纳米的基体原子或杂质原子。利用与背散射分析相同的原理，可以测定位移的基体原子数（损伤量）、非替位的杂质原子数及其深度分布。当发生沟道效应时，大部分入射离子被引导通过由原子列或...
沟道掺杂技术是制造MOSFET时所采取的一种工艺技术，就是在栅极氧化膜形成之后，在沟道区域通过离子注入技术把少量的施主或受主杂质离子（浓度为1011~1012/cm2）注入进去，以用来调整器件阈值电压的大小，这就称为沟道掺杂；对于n-MOSFET，为了增大阈值电压，需要掺入p型杂质，为了得到耗尽型MOSFET就需要掺入n型杂质。C...
沟道清淤技术是指将堵塞在沟道中的泥沙、杂物等清除出去,保持沟道畅通的技术手段。根据不同的沟道淤堵程度、清淤目标以及清淤方法,可以采用不同的清淤技术。 2.1 人工清淤 人工清淤是指通过人工方式移除沟道内的泥沙、杂物等,包括铲除、捡拾和清理等方式。这种方法需要考虑工作人员的安全和效率,并且对于淤泥多、粘稠度高...
AO4606采用先进的沟道技术MOSFET提供优秀RDS(ON)和低门充电。互补MOSFET可用于形成水平移动的高侧开关,以及一系列其他应用程序 品牌代理商:深圳市夸克微科技 郑生: 13528458039 QQ : 2867714804 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生变化,也可能随着购买数量不同或所选规格...
因此,STI技术的发展将对半导体制造产业的发展起到重要的推动作用。 总之,STI浅层沟道技术是半导体制造中的重要技术之一,其形成过程、存在的挑战以及解决方法都需要我们深入了解和研究。只有不断地创新和发展,才能推动半导体制造产业的发展,为人类社会的进步做出更大的贡献。
在半导体制造中,沟道填充是一个关键步骤。你知道吗?传统的PECVD技术是通过喷出不同化合物气体,利用等离子体能量将气体解离,形成薄膜材料沉积在晶圆表面。但这种“fall on”模式在沟道填充时遇到了挑战。想象一下,如果沟道的形状像是一个外角270度、内角90度的结构,二氧化硅薄膜在沉积过程中会很容易堵塞入口,导致下面的...
硅栅N沟道技术 硅栅N沟道技术（silicon gate N-channel technique）是1993年公布的电子学名词。公布时间 1993年，经全国科学技术名词审定委员会审定发布。出处 《电子学名词》第一版。
这些因素将影响山洪沟道的设计尺寸、坡度、沟道形式等方面的要求。 其次,设计标准会考虑山洪的特点,包括山洪的发生规律、洪峰流量、洪水位等。根据这些特点,设计标准会规定山洪沟道的承载能力、排洪能力等技术要求。 另外,设计标准也会考虑到环境保护和生态恢复的要求。在设计山洪沟道防洪工程时,需要兼顾生态环境的保护...
总之,NAND沟道通孔是3D NAND制程中的关键技术之一,它的制作难度非常大,但是它的质量和性能对3D NAND的整体性能有着非常重要的影响。未来,随着制程技术的不断提高和设备的不断升级,NAND沟道通孔的制作技术也将会得到进一步优化和改进,为3D NAND的发展提供更加坚实的技术支...
第一节沟道技术原理 沟道技术：利用带电粒子与单晶体的相互作用研究物质微观结构的一种分析技术。样品分为：单晶样品和无定形样品 单晶样品中，原子是有规则地排列的，晶格原子构成一系列的晶轴和晶面。带电粒子入射到单晶体上时，相互作用情况与入射到无定形样品时会很不一样。当沿着单晶体的...