处首先击穿. 计算得出 Si pMOS 击穿电压为 - 5190V ,击穿点位于距表面约 18nm 的漏p + n结 处; Si Ge pMOS 击穿电压为- 4192V ,击穿点位于距 表面约 10nm 的漏衬 p + n 结处, 确实位于 Si Ge 层 内. 由图 3 可见, 沿沟道方向, 无论 Si pMOS 还是 Si Ge pMOS 都在源结和漏结处出现一...
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它具有高击穿电压、大电流处理能力 矽源特ChipSourceTek-CST2301L是一款高性能的P沟道增强型MOSFET,专为需要高功率和电流处理能力的应用而设计。其独特的特性使其在低开关或PWM(脉冲宽度调制)应用中表现出色。本文将详细介绍矽源特ChipSourceTek-CST2301L的各项特性、应用、封装信息以及测试电路与波形,以帮助读者更好地...
栅源击穿电压助Gs:栅极与沟道之间的PN结反向击穿时的栅源电压。 漏源击穿电压斫:DDs:使沟道发生雪崩击穿引起fD急剧上升时的吣s值。由于加到栅漏之间PN结的反向电压为arGf幻s,所以cJGs越负。Ⅱ越小。 最大漏极耗散功率PDM:场效应管漏极耗散功率PD=fD〃Ds,这一耗散功率将使管子温度升高。为了限制管子的温度,应...
DN2470N沟道耗尽型垂直DMOS FET特点高输入阻抗低输入电容快速开关速度低导通电阻无二次击穿,51电子网为您提DN2470供应商信息,DN2470PDF资料信息,采购DN2470,就上51电子网。
P沟道的短沟道MOSFET更容易发生横向双极击穿。A.正确B.错误的答案是什么.用刷刷题APP,拍照搜索答疑.刷刷题(shuashuati.com)是专业的大学职业搜题找答案,刷题练习的工具.一键将文档转化为在线题库手机刷题,以提高学习效率,是学习的生产力工具
产品名称:N沟道增强模式HiPerFET功率MOSFET(最大漏源击穿电压100V的,导通电阻15mΩ的N沟道增强型HiPerFET功率MOSFET的) 厂商:IXYS 生产批号:10+ 封装:TO-247 库存状态:有库存 库存量:123000 最低订购量:1 详细资料: 产品介绍 分享到: IXFH80N10QN沟道增强模式HiPerFET功率MOSFET(最大漏源击穿电压100V的,导通...
DCY推出的P沟道增强型MOSFET DM3415A,采用先进的沟槽技术,用最新的处理技术来实现高密度单元设计,以降低高重复雪崩额定值的导通电阻。这些特性结合在一起,使得该设计成为一款极其高效可靠的器件,适用于电源开关应用和各种其他应用。 产品特征 VDS=-20V,ID=-4.2A RDS(ON)<37mΩ@VGS=4.5V ESD=3000V HBM 产品...
沪江词库精选沟道衬底击穿英文怎么写、英语单词怎么写、例句等信息 channel-substrate breakdown 相似短语 in the channel 【经】 在途货物 television channel (TV channel) 电视信道 channel to channel connection 【电】 波道与波道连接 talk channel 通话线路 television channel 电视频道 alluvial channel ...