晶格氧通常对应材料中处于正常晶格位置的氧原子,结合能较高,峰位集中在529-531eV范围。以金属氧化物为例,晶格氧的O1s峰呈现对称单峰或主峰形态,例如二氧化钛的O1s主峰位于529.5eV附近,对应Ti-O键中的氧。 氧空位的存在会改变局部电子环境,导致XPS峰位向低结合能方向偏移。在含有氧空位的样品中,O1s谱常出现528-
材料的晶体结构影响着氧空位XPS峰的位置。立方结构与四方结构材料氧空位XPS峰位置不同。氧空位浓度的改变会体现在XPS峰位置变化上。较高氧空位浓度时XPS峰位置有明显特征。测量环境也可能干扰氧空位XPS峰的位置测定。高湿度环境可能使氧空位XPS峰位置不准确。XPS仪器的精度对氧空位峰位置测量有影响。先进的XPS设备能更...