氧空位是指在金属氧化物或者其他含氧化合物中，晶格中的氧原子(氧离子)脱离，导致氧缺失，形成的空位。简单来说，就是指氧离子从它的晶格中逸出而留下的缺陷。氧空位是半导体材料尤其是金属氧化物半导体中最常见的一种缺陷，对半导体材料的性能有着重要影响．分类 按照所处的空间位置不同，氧空位可以分为表面氧...
具有氧空位的材料的g值约为2.00,这是氧空位的判断数据。到目前为止,EPR是识别纳米材料中氧空位存在的一种常用技术。例如,使用EPR来估计WO3样品的氧空位浓度。带有氧空位的WO3在g=2.002处具有代表性的EPR信号,揭示了氧空位上的电子捕获。因此,EPR测量是确定材料中氧空位存在的一种直接而有效的方法。EPR技术虽然可以直...
也就是Marsand van Krevelen机理：指反应过程为反应物与催化剂晶格氧离子反应的机理。第一步是反应物与催化剂产生氧空位被还原。第二步是催化剂被解离吸附的氧补充氧缺位而重新氧化，得以再生。由于第一步是氧化物催化剂被还原，第二步催化剂被氧化，这种机理也被称为氧化还原机理。图片引用《甄开吉-催化作用基础(...
对于含有氧空位的材料,其g因子值通常约为2.00,这一特征数据成为判断氧空位存在的重要依据。EPR技术已被广泛应用于纳米材料中氧空位的识别,例如,通过EPR测量可以估算WO3样品中的氧空位浓度。在WO3中,氧空位会在g=2.002处产生典型的EPR信号,直接揭示了氧空位上的电子捕获现象。 尽管EPR技术能够直接有效地确认材料中氧空...
图1. 氧空位材料的应用示意图 缺陷主要包括几种类型,阴离子空位(氧空位)、阳离子空位、畸变和空位联营。而策划设计其中缺陷之一可以调整材料的电子结构、导电性能和微观结构等性能。此外,有很多方法可以控制纳米材料中缺陷的形成,包括在还原气体或缺氧条件下的热处理,掺入其他离子,超薄材料(二维材料)的构造,以及电化学...
氧空位是指氧原子在晶体或材料中的位置上缺失了,导致形成一个能量位点。这种缺陷可以通过掺杂、退火等方法形成,对材料的电学、磁学、光学等性质具有重要影响。 氧空位在各种材料中都存在,例如氧化物半导体、氧化物电解质、金属氧化物等。氧空位可以在晶体结构中存在,也可以形成在材料表面上。在固体氧化物燃料电池(solid...
氧空位,顾名思义,即在晶体结构这一精密的建筑框架中,氧原子因某种原因(如热振动、化学反应等)悄然离席,留下的空位便如同建筑中的空洞。这种缺陷在金属氧化物半导体中尤为常见,好比是陶瓷碗上的微小裂痕,虽不起眼却影响着整体的坚固与美观。以二氧化钛(TiO₂)为例,在高温还原气氛下,部分氧原子会逸出,形成氧空位...
氧空位(OV)是改善半导体光催化剂物理化学性质和光催化活性最常用的缺陷工程策略。上世纪60年代,Tompkins等人首次提出了OVs的概念,当时OVs被视为一种物种。 由于光催化剂特殊的合成条件或不稳定的表面结构,O原子容易移动到任意位置,甚至冲出晶格。 一般来说,OVs更容易通过高温和/或高压、化学还原、离子掺杂或光照产生,...
1.一些氧空位辅助二氧化碳氢化反应的观点 氧空位是从规则晶格中移除一个氧原子后所产生的位置。这些缺陷表现为路易斯碱性,因为去除氧原子会释放出电子留在空位(Eq. 1andEq. 2),从而使它们与路易斯酸(被吸附剂,例如CO2)发生相互作用。 ...
氧空位(Oxygen Vacancy, OVs)的概念最早于1960年提出,用于研究和固体表面接触的气体。对于金属氧化物,如果在特定外界环境下(比如高温),会造成晶格中的氧脱离,导致氧缺失,形成氧空位,缺陷方程可以表示为O=1/2O2+Vo。对于金属氧化物,其氧空位是缺陷的一种。由于在氧化物中相对于氧,其他元素的电负性一般小于氧,所以...