1. 正胶负显影(PTD) 在先进制程(16nm/14nm 及以下)中的通孔和金属层,出现了将“正胶”配合“负显影液”的反向显影工艺。 其基本思路是:对正胶进行曝光后,使用特殊配方的负显影液溶解未曝光的区域,最终留下的是曝光过的图形。 这一反向操作能在某些工艺层中得...
正胶:正胶是一种在曝光后变得可溶于显影液的光刻胶。它通常包含光敏剂、树脂和溶剂等成分。在曝光过程中,光敏剂发生化学反应,导致树脂结构发生变化,从而使得光刻胶在显影液中溶解度增加。 负胶:负胶则是一种在曝光后变得不易溶于显影液的光刻胶。它也包含光敏剂、树脂和溶剂等成分,但曝光引起的化学反应与正胶...
(1)正胶:受到光照后,曝光部分发生化学反应,变得易溶,从而在显影过程中被去除,形成所需图案。正胶以高分辨率著称,特别适用于高精度、细线条的图案制作。但它的感光度较低,需要更长的曝光时间,且对环境条件敏感。 (2)负胶:其特性与正胶恰好相反。曝光部分在光照...
通过选择合适的曝光剂、显影剂和后续处理步骤,可以实现对正胶的精确控制,从而实现复杂的器件结构。 而负胶由于其分子高度交联化,使其具有良好的耐化学性,热稳定性,抗刻蚀性,通常适用于制造一些微结构或是复杂的三维形态,例如,微流控芯片,微型管道、微型阻塞阀门等微流体器件。 光刻胶指...
在刻蚀过程中，负胶能有效保护未曝光区域。然而，负胶也存在一定的不足之处，即在显影时容易发生膨胀，这可能导致图案变形或尺寸不准确。此外，负胶的分辨率相较于正胶略低，因此不适合用于制作特别精细的线路。因此，在选择光刻胶时，必须根据具体应用需求来定，同时还要考虑成本因素。这不仅涉及技术层面的考量，还...
晶圆显影技术:正胶与负胶的差异 在半导体制造中,晶圆显影是一个关键步骤,它决定了芯片的最终质量。显影方式的选择对生产效率和产品质量有着重要影响。以下是两种常见的晶圆显影方式及其优缺点。 正胶显影 🌞 正胶在曝光后会发生光化学反应,生成酸性基团并放出氮气。这些酸性基团与显影液中的微碱性成分反应,导致光刻...
另外,正胶涂覆工艺简单,对工人的操作技能要求不高,因此成本也相对较低。 2. 正胶的缺点 正胶的缺点在于会在金属表面形成一层胶膜,这会影响金属表面的外观,使其变得不光滑,对于一些需要外观要求较高的金属制品来说,这会影响其市场竞争力。 3. 负胶的优点 负胶的优点在于对金属表面...
一、正胶和负胶的定义 半导体正胶和负胶都是半导体微电子制造中常见的材料,它们分别用于在晶圆表面的特定区域形成细微的图案。正胶和负胶的名称源自它们对紫外线曝光后的反应。曝光后,正胶的曝光区域会变硬,而未曝光区域则不会变化。负胶则是相反的,曝光区域不会变化,而未曝光区域则会变硬。 二、正胶...
正胶和负胶的感光原理 咱先来说说正胶哈。正胶呢,就像是一个特别直爽的小伙伴。正胶在没有曝光的时候,它是可以被溶解掉的哦。你可以想象它就像一个穿着隐身衣的小调皮,在特定的溶剂面前,很容易就被带走啦。但是呢,一旦遇到光,哇,就像被施了魔法一样,它发生了变化,变得不再能被溶剂轻易溶解了。就好像它从一...
正胶与负胶,是描述高分子材料在特定环境下带电状态的术语。正胶指带正电荷的高分子,而负胶则相反。这种带电性对材料的溶液行为及相互作用至关重要。 二、亚胺的化学性质分析 不同于高分子材料,亚胺作为低分子量化合物,并不具备显著的带电性。...