在对大量实验数据进行深入研究后，我们发现半导体和绝缘体材料的本征击穿电场与其禁带宽度之间存在一种普遍的关联。根据这种特性，我们首次提出了一个基于禁带宽度Eg的定量判据，即击穿场判据，用于对材料进行明确和统一的分类。这一理论为我们提供了简化后的半导体材料的优质系数表达式，可以直接用禁带宽度Eg来...
首先,从物理角度来看,本征击穿电场强度和温度厚度之间存在一定的关联。一般来说,随着温度的升高,介质的导电性会增加,这可能会导致本征击穿电场强度的变化。这是因为在高温下,介质中的自由电子数量会增加,从而使得介质更容易发生击穿。因此,可以认为本征击穿电场强度和温度厚度之间存在一定的正相关关系。 其次,从工程角度...
属于。根据查询人人文库得知，本征击穿在汇集实验数据的基础上，提出对半导体和绝缘体材料的本征击穿电场与其禁带宽度之间关系的通用表达式，以本征击穿代表电击穿，所以本征击穿属于硬击穿。
近日，南京大学物理学院梁世军、缪峰团队成功制备了石墨/硒化铟(graphite/InSe)范德华肖特基光电探测器，首次在实验上实现了本征击穿电压下的超高雪崩增益，为低能耗、高灵敏的新型弱光探测器的开发提供了一条可行的技术途径。新兴的二维量子材料由于其独特物性，在构筑高性能光电探测器上展现出了巨大的潜力。近年来，...
近日,南京大学物理学院梁世军、缪峰团队成功制备了石墨/硒化铟(graphite/InSe)范德华肖特基光电探测器,首次在实验上实现了本征击穿电压下的超高雪崩增益,为低能耗、高灵敏的新型弱光探测器的开发提供了一条可行的技术途径。 新兴的二维量子材料由于其独特物性,在构筑高性能光电探测器上展现出了巨大的潜力。近年来,缪...
百度试题 题目简述雪崩和本征电击穿的区别。相关知识点: 试题来源: 解析 本征击穿理论中增加导电电子是继稳态破坏后突然发生的,而“雪崩”击穿是考虑到高场强时,导电电子倍增过程逐渐达到难以忍受的程度,导致介质晶格破坏。反馈 收藏
本征击穿电场;禁带宽度;半导体/绝缘体;击穿场判据;简化优值系数 中图分类号:TN304 文献标识码: A 文章编号:10o43365(2OO6)060702—05 RelationshipBetweenIntrinsicBreakdownFieldandBandgapofMaterials WANGLi—mo (Dept.ofElectronics&InformationEngineering,JiangsuCollegeofInformation7~chnology,Wuxi,Jiangsu214061,P....
本征击穿电场与禁带宽度之间的任 何定量表达式的报道 本文在汇集实验数据的基础上发现 室温下物 质的本征击穿电场与其禁带宽度之间的关系 在双 对数坐标中表现为直线 并可用一经验公式表示 这种定量关系可用于指导提高材料击穿特性的工艺 改良 也可用于以禁带宽度为依据选择制作各种高 压器件所使用的材料 2 本征击穿...
近日,南京大学物理学院梁世军、缪峰团队成功制备了石墨/硒化铟(graphite/InSe)范德华肖特基光电探测器,首次在实验上实现了本征击穿电压下的超高雪崩增益,为低能耗、高灵敏的新型弱光探测器的开发提供了一条可行的技术途径。 新兴的二维量子...
在热击穿过程中,材料内部的电导率、热传导率、热膨胀系数等本征性能参数对于热击穿特性的影响十分重要。 1.导电性能 材料的导电性能是影响热击穿特性的主要因素之一。高导电性的材料中,当电压增大时,电流密度也会随之增大,在热击穿过程中容易产生电火花和电弧,从而加速电介质的击穿。因此...