电力晶体管（Giant Transistor——GTR），是一种耐高电压、大电流的双极结型晶体管（Bipolar Junction Transistor—BJT），所以有时也称为Power BJT。但其驱动电路复杂，驱动功率大。GTR和普通双极结型晶体管的工作原理是一样的。产品简介 GTR是一种电流控制的双极双结大功率、高反压电力电子器件，具有自关断能力，...
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芯片内部有多小呢？如今我们在工业上运用的芯片最小制程，也就是我们人类能创造出的微小尺寸，已经达到 3nm，芯片内部可以集成上百亿个晶体管。芯片制造的“多层”思路 无数纳米级的电子元件在芯片上错落排布，是将每一个元件事先制好，再一个一个安放上去吗？图源pixabay（上）；Searchmedia - Wikimedia Commons...
◆ 晶体管 (Transistor):一种固体半导体器件(包括双极晶体管 BJT和场效应晶体管MOSFET等),具有检波、整流、放大等功能。 ◆双极型晶体管(BJT,Bipolar Junction Transistor):电子和空 穴两种极性载流子均参与电流输运的晶体管。 ◆ 双极型晶体管是最重要的半导体器件之一,1947年由贝尔实验 室的一个研究小组发明,普遍...
晶管 晶管是一个土壤学术语。
大致分为三种类型:双极型、场效应型和绝缘栅双极型。 双极晶体管属于电流驱动器件。场效应晶体管(FET)和绝缘栅双极晶体管(IGBT)属于电压驱动器件。 晶体管/电晶体(英语:transistor),早期音译为穿细丝体,是一种类似于阀门的固体半导体器件,可以用于放大、开关、稳压、信号调制和许多其他功能。
首先，让我们讨论一下这种新型铁电晶体的首要优点：纳秒量级的开关速率。在这种情况下，一毫微秒就相当于10^9秒。与之相比，普通的晶体管切换起来就是一种龟速。这种铁电晶体可以在纳秒量级进行切换，这就意味著其可以更快更有效率地进行资料传输。设想您正在使用一台计算机来进行录像，如果使用常规装置，它将花费数...
JFET:结型场效应晶体管 (1)在N沟道结型场效应晶体管(图3-3(a))中,当在漏极和源极之间施加电压时,电子从源极流向漏极。 (2)当在栅极和源极之间施加反向偏压时,耗尽层扩大并抑制(1)中的电子流动。(使电子流动的路径变窄) (3)如果栅极和源极之间的反向偏压进一步增加,耗尽层就会阻塞通道,电子流动停止。