一般来说，H2O2的选择性形成取决于在ORR过程中维持O-O键的能力，从而防止OH−的形成，这就要求目标催化剂具有特定的几何结构。其中，在一个组装体中利用惰性原子分离出4e−ORR活性原子是选择性产生H2O2的有效策略。这是因为分离的活性位点有利于O2的Pauling型吸附，这将实现O=O双键的部分切割和单个O-O键的保留...
晶格氧位点是晶体中的一种特殊位置,它是一个缺失的氧原子,在晶体结构中形成一个空位。这个位置上的氧原子通常是不稳定的,容易被其他原子或分子占据。当晶格氧位点被活化时,它会发生一系列化学反应,从而影响晶体的结构和性质。 晶格氧位点的活化可以通过多种方式实现。一种常见的方法是利用外部能量,如热量或光照,来...
【钙钛矿晶格中隔离位点起大作用,促进电合成H2O2】5月1日,@香港理工大学 黄海涛课题组在Cell Press期刊Matter发表新文http://t.cn/A6HaI0Jm。他们选择铌酸银(AgNbO3)作为模型材料来研究其在H2O2生产中的选择...
突然发现vesta完全没有这个问题?发自小木虫Android客户端
根据晶体场理论,对于八面体穴位稳定化能(OSPE)较高的离子,离子取代时会优先占据八面体位点,导致离子占位反转的比例增大,反转度λ的变化趋势与精修结果一致,反转度的增大以及样品晶界数量的减少会导致其Q×f值的提高.而_()值会受到取代离子的离子极化率的影响,理论介电常数,孔隙率校正介电常数和实测介电常数变化...
其中磺酸酯MS分子在开环分解后,会在钴酸锂表面同时结合晶格氧和高价钴,钝化了引发正极界面副反应的活性中心,稳定了高压钴酸锂界面,实现了4.6 V及以上电压的稳定循环。相关研究成功以 “Chemically active sulfonate additive with transiti...
中国科学院高能物理研究所张静/董俊才/储胜启提出了一种选择性激活Ru位点周围晶格氧的有效策略,提高OER的活性和稳定性。合成的Ru和Zn共掺杂Co 3 O 4 的尖晶石型电催化剂在10 mA cm -2 下显示出172 mV的超低过电势,并且在10 mA cm/ 2 下对碱性OER显示出达到100小时的长期稳定性。相关工作以“Selective Ac...
此外,Ni/Mn取代有助于构建缺氧表面以改变表面环境,从而促进晶格氧通过去耦质子-电子转移过程参与表面反应。该重构表面可以保护内部结构免受进一步氧化,以在后续循环期间保持其稳定。表面重建后的活化(Act)-(Ni,Mn)-(Co)tet(Co2)octO4 NSs在10mA cm-2、50mA cm-2或甚至100mA cm-2下表现出100小时的长期稳定性...
晶格氧氧化机理(LOM)作为一种新兴的析氧反应(OER)反应机理,可通过O-O直接耦合避开传统吸附物释放机理(AEM)中固有的线性关系限制,并突破理论过电位电势上限。而对于在OER催化领域极具应用前景的尖晶石氧化物,其本身独特的晶体结构严重削弱了金属d轨道与氧p轨道之间的电子杂化与金属-氧键的共价,使其八面体活性位点难...
在这里，我们报告了一种间隙硅掺杂策略，以稳定RuO2的高活性Ru位点，同时抑制晶格氧氧化。具有代表性的Si-RuO2−0.1催化剂在酸中表现出较高的活性和稳定性，800 h的降解率为~52 μV h−1,10 mA cm−2的过电位为226 mV。差分电化学质谱(DEMS)结果表明，Si-RuO2−0.1的晶格氧氧化途径比商业RuO2...