晶振的匹配电容计算公式 晶振匹配电容的计算公式为:C=1/4π²f²L,其中,C为匹配电容值(单位:F),f为晶振振荡频率(单位:Hz),L为晶振电感(单位:H)。©2022 Baidu |由 百度智能云 提供计算服务 | 使用百度前必读 | 文库协议 | 网站地图 | 百度营销 ...
A,知道晶振的负载电容Cload,需要计算Ce1与Ce2; B,某些IC有推荐Ce1与Ce2,那么需要去求晶振的Cload,然后再去找对应的物料。 方法A: 如上图:Ce1=Ce2=2*[Cl-(Cs+Ci)] 其中,Ce1,Ce2为晶振外部的负载电容,也即是匹配电容 Cl为晶振规格书的负载电容 Cs为PCB板的走线、IC PAD的寄生电容的和 Ci为IC的...
CD表示晶体振荡电路输出管脚到地的总电容，包括PCB走线电容CPCB、芯片管脚寄生电容CO、外加匹配电容CL2，即CD=CPCB+CO+CL2 CG表示晶体振荡电路输入管脚到地的总电容，包括PCB走线电容CPCB、芯片管脚寄生电容CI、外加匹配电容CL1，即CG=CPCB+CI+CL1 一般CS为1pF左右，CI与CO一般为几个皮法，具体可参考芯片或晶振...
2. 在计算匹配电容时,应该准确地测量晶振的负载电容、电感和电路中的并联电容等参数,以确保计算结果准确可靠。 3. 在调试时,应该采用频谱分析仪等专业设备对晶振的输出信号进行分析,并对匹配电容进行逐步调整,以确保晶振的稳定性和精度。 4. 如果条件允许,可以通过更换晶振或调整线路布局等方式,以提高晶振的性能...
(3)晶振负载电容外匹配电容CL1及CL2计算 如图3所示,如果晶振两端的等效电容与晶振标称的负载电容存在差异时,晶振输出的谐振频率将与标称工作的工作频率产生一定偏差(又称之为频偏),所以合理匹配合适的外加电容使晶振两端的等效电容等于或接近负载电容显得十分重要。
在给定的振荡电路中，负载电容是指跨接在晶体（即无源晶振）两端的总有效电容。而匹配电容，通常指的是我们外接的两个电容器，它们在电路中类似于两颗小黄豆，分别标记为CL1和CL2。在实际的电路设计过程中，可能存在两种计算方法：首先，已知晶体所需的负载电容（这通常可以在晶体规格书中找到），然后据此计算所需...
通过频率计测试电路频率偏移,结合晶振T/S值(T/S值按20ppm/pf计算),可计算出PCB寄生电容。使用频率计测试晶振电路频偏为-25.6ppm,如下图1.2所示。 图1.2频率偏移 频偏-25.6ppm换算成电容为1.28pf。加入表笔后的频率影响,总电容为: 根据公式: 有: 可算出寄生电容C寄生: 2.根据寄生电容值进行匹配方案设计 使用...
内容提示: 晶振负载电容外匹配电容计算及晶振振荡电路设计经验总结对应 MCU(STM32F103XX)、WiFi(AP6212、AP6XXX)或 USB HUB(FE1.1S、GL850G)一般需外部提供时钟信号,需要外挂一颗晶振,常有客户问到,如何结合晶振的负载电容计算外匹配电容容值以及在晶振振荡电路设计时需注意哪些事项,(1)晶振负载电容定义晶体元件的...
晶振参数 晶振匹配电容计算 无源晶振 有源晶振 温补晶振 恒温晶振 屹晶微EG8010 ,STM32单片机晶振电路设计,长江大学 单片机晶振电路计算与PCB设计 晶振参数 晶振匹配电容计算 无源晶振 有源晶振 温补晶振 恒温晶振 屹晶微EG8010 小华半导体HC32F120 STM32单片机 时钟电路(晶振电路)是单片机的心脏,任何对晶振电路的...
晶振内部负载电容 CL=C1*C2/(C1+C2)+C (其中 C 为 IC 的内部电容，一般在 5~7PF) 例如：...