匹配电容是用来调整晶振的频率的元件,它的值决定了晶振的谐振频率。匹配电容的选择需要根据晶振的规格参数来确定。通常晶振的规格参数中会标明所需的匹配电容范围。在选择匹配电容时,应该优先选择与晶振规格参数相匹配的电容值,以确保晶振能够正常工作。 三、匹配电容的调试 当晶振电路中的匹配电容选择好之后,还需要进行...
从表达式(4),我们知道可以通过调节负载电容CL来微调振荡器的频率,这就是为什么晶振制造 商在其产品说明书中会指定外部负载电容CL值的原因。通过指定外部负载电容CL值,可以使晶 振晶体振荡时达到其标称频率。 下表给出了一个例子来说明如何调整外部参数来达到晶振电路的8MHz标称频率: 使用表达式(2)、 (3)和(4),...
晶振输入输出连接的电阻作用是产生负反馈,保证放大器工作在高增益的线性区,一般在M欧级,KHz晶振电路,并联电阻通常为10M欧,MHz晶振,并联电容通常为1M欧左右。 串联电阻 电路串联电阻常用来预防晶振被过分驱动。晶振过分驱动的后果是将逐渐损耗减少晶振的接触电镀,这将引起频率的上升,并导致晶振的早期失效,又可...
晶振匹配电容一般是指串联在晶振两端的电容,匹配电容的个数一般是两个。晶振匹配电容的范围与晶振的频率有关,通常根据晶振频率来计算匹配电容的值。具体范围如下: 1. 10MHz以下的晶振,匹配电容一般为18～33pF; 2. 10-20MHz的晶振,匹配电容一般为15～22pF; 3. 20-30MHz的晶振,匹配电容一般为12～18pF; ...
匹配外接电容的一般算法如下：确定晶振的负载电容值(CL)，这个值通常在晶振的规格书中给出。计算外接电容(C1和C2)的值。根据公式：C1 = C2 = (CL * CL) / (C1 + C2)这个公式可以简化为：C1 = C2 = CL / 2这是因为在实际应用中，我们通常选择两个相等的电容来匹配负载电容。考虑杂散电容(Cs)。杂散...
其中,Ce1,Ce2为晶振外部的负载电容,也即是匹配电容 Cl为晶振规格书的负载电容 Cs为PCB板的走线、IC PAD的寄生电容的和 Ci为IC的PIN寄生电容。 计算开始: Cl通过规格书获取,一般为20pF。 Cs与Ci采用估算值,Cstray=Cs+Ci。一直范围为3pF~7pF。
晶振两端的等效电容与晶振标称的负载电容匹配不正确,晶振输出的谐振频率将与标称工作的工作频率会产生一定偏差(又称之为频偏)。 负载电容(load capacitance)主要影响负载谐振频率和等效负载谐振电阻,它与石英谐振器一起决定振荡器的工作频率,通过调整负载电容,一般可以将振荡器的工作频率调到标称值。应用时我们一般外接电...
二、晶振匹配电容 选择晶振时候通常都要选择晶振的外部电容，外部电容一般都是两个容量相同的电容且容量很小，晶振的datasheet里面会标出负载电容容量，如下图所示，此8MHz的Load Capacitance(CL)为20pF，这个电容取决于外部的两个电容以及电路板等效杂散电容之和，即CL=C1//C2+Cs，其中C1、C2为外部两个电容，Cs...
无源晶振常用的负载电容：kHz晶体：6，7，9，12.5pFMHz晶体：8，9，12，15，18，20pF 根据负载电容选择匹配电容C1和C2, 通常C1=C2:当负载电容CL=12.5pF，建议外接电容C1=C2=15~18pF当负载电容CL=9pF，建议外接电容C1=C2=12pF 杂散电容Cstray的值一般为4~6pF。杂散电容可能对无源晶振的输出频率精度及...
负载电容：晶振的负载电容是指晶振工作时所需的外围电容值。不同型号的晶振具有不同的负载电容要求。在选择匹配电容时，应确保电容的总值接近晶振的负载电容要求，以获得最佳的频率稳定性和相位噪声性能。电容类型与精度：匹配电容的类型（如薄膜电容、陶瓷电容等）和精度也会影响晶振的性能。一般来说，高精度、低损耗...