晶胞含有8个原子2 硅晶体原子密度硅晶体原子密度金刚石结构的立方晶胞两套面心立方格子组成的复式格子晶胞体积为:a3 一个原子占据的空间为:a3/8原子密度单位体积含有的原子个数为:8/a351022/cm3硅4.421022/cm3锗 3 共价四面体共价四面体硅为元素周期表中四族元素,每个原子有4个价电子,形成晶体时,可以形成4个共价...
硅(Si)、锗(Ge)、砷化镓(GaAs)等(注:Si是人类提取最纯、了解最透彻的晶体之一) 金刚石 非晶体 1.2硅的晶体结构_ 硅非金属元素、化学符号Si,英文silicon, 原子序数14。 有两种同素异形体:无定形硅、晶体硅 密度:2.35g/cm 3 、熔点:1410°C、 金刚石型结构。 6 1.2硅的晶体结构_ Si:1S2S2P3S3P 14222...
攀移运动:指空穴和间隙原子靠热运动移动到位错处,引起半平面扩张或收缩 掺杂造成的影响: 主要是导电性能的巨大变化,电阻率大幅下降,导电性能大幅提升 提升的多少与掺杂浓度有关 轻掺杂和重掺杂 重掺杂可使得禁带宽度变窄 分类 N型掺杂 P型掺杂 掺入多一个电子的原子,电子的运动类似于氢原子中电子的情况。 以上...
Ge,Si和GaAs分别属于那种半导体? 共价键共 用电子对 +4 +4 +4 +4表示除去价电子后的原子 绝对温度为零时 +4 +4 +4 +4 自由电子 空穴 束缚电子 热激发后 两种情况下的能带图 如何理解空穴导电? 设价带有电子跃迁到导带。设电子电流密度为J,则 J=价带(k状态空出)电子总电流 设想以一个电子填充到空...
杂质在硅、锗中的能级与它的原子构造、在晶格中 所占的位置有关。Energy class of impurity in Si and Ge corresponds to its atomic structure and position occupied in crystal lattice.如:III族和V族杂质在硅、锗中占替代式晶格位置,电离后,可提供一个受主或施主能级;For example: after ioniz...
与本体元素不同的其他元素 一、杂质存在的方式 金刚石结构Si中，一个晶胞内的原子占晶体原胞的34%，空隙占66%。(1)间隙式→杂质位于间隙 位置。Si Li：0.068nm (2)替位式→杂质占据格点Si 位置。大小接近、电子 壳层结构相近 Si Si：r=0.117nmB：r=0.089nmP：r=0.11nm Si Si Li P Si Si Si ...
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第一章半导体中的电子状态 1.1.1金刚石型结构和共价键 现代电子学中，重要的半导体材料：硅和锗，它们的最外层电子（价电子）都是四个，它们组合成晶体靠共价键结合。Ge Si 硅和锗的共价键结构 第一章半导体中的电子状态 +4+4表示除去价电子后的原子 共价键共 用电子对 +4+4 形成共价键后，每个原子的最...
Ge,Si和GaAs分别属于那种半导体? 共价键共 用电子对 +4 +4 +4 +4表示除去价电子后的原子 绝对温度为零时 +4 +4 +4 +4 自由电子 空穴 束缚电子 热激发后 两种情况下的能带图 如何理解空穴导电? 设价带有电子跃迁到导带。设电子电流密度为J,则 J=价带(k状态空出)电子总电流 设想以一个电子填充到空...
Ge,Si和GaAs分别属于那种半导体? 共价键共 用电子对 +4 +4 +4 +4表示除去价电子后的原子 绝对温度为零时 +4 +4 +4 +4 自由电子 空穴 束缚电子 热激发后 两种情况下的能带图 如何理解空穴导电? 设价带有电子跃迁到导带。设电子电流密度为J,则 J=价带(k状态空出)电子总电流 设想以一个电子填充到空...