意法半导体功率分立器件部技术市场高级经理 Gianfranco CALABRO直言,SiC和GaN这两种宽带隙功率器件的开发目的都是为适用于新兴大功率应用领域,提高能效和开关频率,降低功率损耗。但目前与传统硅器件相比,市场份额还较低。 无疑,作为新一代功率器件,SiC和GaN的性能更加优异。美国力特公司(Littelfuse, Inc.)资深销售经理朱...
芯冠氮化镓功率器件的特点是兼容标准MOS驱动,应用设计简单,只需配合栅极电阻调节开关速度,引脚套磁珠抑制EMI干扰;抗击穿电压高达1500V以上,使用安心。 大连芯冠科技推出了两款新的CASCODE结构氮化镓开关管,GaN均为D-MODE耗尽型,其中XG65T300HS2A为DFN8*8贴片封装,耐压650V,导阻240mΩ。XG90T150PS2A为TO220封装...
据EEPW报道,远山半导体最近发布了新一代高压氮化镓功率器件,并在泰克先进半导体实验室进行了详尽的测试。为了解决氮化镓功率器件固有的电流崩塌问题,他们采用特有的极化超级结(PSJ:Polarization Super Junction)技术,将器件的额定工作电压和工作电流提升到(1200V/20A)。 对于器件的直流参数,选择在静态参数测试系统SPT1000A上...
中国自此有了完全自主的IGBT“中国芯”。 由中国北车设计开发的3300V/50AIGBT芯片,是国内首件自主设计制造的高压IGBT芯片,迈开了国产IGBT功率“芯脏”替代进口的步伐。 IGBT作为新一代功率半导体器件,具有驱动容易、控制简单、开关频率高、导通电压低、通态电流大、损耗小等优点,是自动控制和功率变换的关键核心部件,...
英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）近日宣布推出新型高压分立器件系列CoolGaN™ 650 V G5晶体管，该系列进一步丰富了英飞凌氮化镓（GaN）产品组合。该新产品系列的适用范围广泛，包括USB-C适配器和充电器、照明、电视、数据中心、电信整流器等消费和工业开关电源（SMPS）、可再生能源，以及家用电器...
氮化铝系新一代功率半导体器件的制作成功 名大和旭化成 2024.04.04 名古屋大学和旭化成的小组成功使用被期待作为新一代功率半导体等材料的氮化铝( AlN )系材料制作了半导体的基本结构“pn结”。“AlN系pn结”与以往的SiC (碳化硅)和GaN (氮化镓)相比,电流-电压特性显示出了2倍的对高电压的优异耐性。 有可能应用于要...
作为下一代功率器件GaN HEMT已经做好了替代 Si MOSFET的一切准备,其强劲的性能主要表现在超好的技术参数RDSON,QG,QRR等一系列影响到功率器件性能的关键参数。GaN HEMT用在开关电源系统上面可以显著的提高系统的开关效率,在硬开关下面提高开关频率使得系统体积更小,从而更显著的提高其功率密度。Transphorm这家公司专注于...
日本NTT公司(TYO:9432)对外宣布,其首次使用高质量AlN单晶衬底实现了全球首款耐压1700V、耐温高达500℃的新一代晶体管,即使在500℃高温下,其漏电电流也能保持在极低的10-8A/mm,漏极电流开/关比高达106。这一成果将有效促进新一代超低损耗功率器件和高温电子器件技术的开发,并表示如果能采用在半导体中最大击穿电...
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SiC MOSFET 是目前最为成熟、应用最广的 SiC 功率开关器。但是,SiC MOSFET 的沟道迁移率低的问题仍然比较突出,对于中低压器件( 650 ～ 1 700 V) 沟道电阻占总导通电阻的比例较高。罗姆和英飞凌采用沟槽结构 SiC MOSFET[2-3],没有 JFET( 结型场效应管) 区,具有更高的沟道密度,同时沟道所在 SiC 晶面具有较...