晶体滑移的方向是沿着晶体中密排方向,而晶面的方向则垂直于滑移方向。 攀移是指晶体中某些晶格层发生微小上下移动的过程。攀移通常发生在层状结构的材料中,如石墨烯和层状双硫化物等。攀移的机制是在晶格平面上产生了沿着晶面法线方向的切应力,使得原子在晶格面上发生垂直方向的微小位移,而晶面方向则保持不变。 ...
金属冷加工是指在室温或稍高于室温的条件下对金属材料进行塑性变形。在这个过程中,金属受到外力作用而发生形变,位错在滑移面上进行滑移运动。由于冷加工温度较低,空位浓度和扩散速度都受到限制,因此攀移现象通常不易发生。 然而,在某些特定条件下,冷加工过程中仍有可能出现攀移。例如...
它是需要涉及点缺陷(空位或自填隙原子)的远程运动(扩散、聚集或逸去),所以攀移又称为非保守性运动。例如由一个正刃型位错的附加半原子面的“刃边”移去一行原子(或聚集一行空位),则此刃型位错离开其滑移而向上攀移一个单元距离,反之则向下攀移一个单元距离。位错攀移常由位错线上割阶或双割阶之形成及沿位错线的...
位错的滑移:位错沿滑移面在滑移方向上的运动,实质是位错线的逐步移动引起晶体切变形; 位错的攀移:位错垂直于滑移面方向的运动,实质是位错线伴随空位扩散的原子迁移过程。 1. **滑移**: - **定义**:在切应力作用下,位错沿特定滑移面和滑移方向逐步移动的现象。 - **实质**:通过位错线在滑移面上的连续运...
答:攀移:位错沿垂直于滑移面方向上移动。(实现:刃位错多余半原子面的扩大或缩小)滑移:位错沿滑移面方向移动。(实现:在外加切应力的作用下,通过位错中心附近的原子沿柏氏矢量方向在滑移面上不断地作少量的位移)交滑移:两个或多个滑移面按一个滑移方向滑移称交滑移。(或者:当一螺型位错在原滑移面上运动受阻时,...
位错攀移位错机理是指位错线通过原子或空位的转移在晶体中进行垂直滑移面的移动。以下是关于位错攀移位错机理的详细解释：正攀移与负攀移：正攀移：当原子从多余半原子面的底部移到其他位置，或者空位从其他地方移到半原子面底部时，位错线会向上移动，称为正攀移。负攀移：如果原子从其他位置移到半原子面...
攀移的驱动力源于晶格中的空位运动。当一个空位移动至刃位错滑移面，与位错线相邻，位错核心的原子可能会“跃迁”到空位位置，使半原子面向上移动一个原子间距，这种过程被称为正攀移。相反，如果原子填充到半原子面下方，导致位错核心向下移动，称为负攀移。这种移动对晶体的体积影响显著，正攀移使晶体在...
攀移能力与材料层错能密切相关。层错能低的材料中,扩展位错较宽,分解成两个不全位错,此时攀移需要两个不全位错同时运动,难度较大。奥氏体不锈钢中的扩展位错在透射电镜下呈现明显的分解特征,这类材料的攀移激活能较高,需要更高温度才能发生明显攀移。 实际观察中要区分攀移与其他位错运动。位错交滑移虽然也改变运动...
位错可以在晶体中进行移动,位错的运动会使晶体产生塑性变形,晶体的强度与位错运动的难易程度直接相关。位错有两种基本运动方式,滑移和攀移。 滑移:在切应力的作用下,当此力克服位错运动所受的阻力时,位错便可以沿着特定原子面(滑移面)进行移动,这种沿着滑移面...
解答:位错的运动方式有两种最基本形式,即滑移和攀移.一 位错的滑移 位错沿着滑移面的移动称为滑移.位错在滑移面上滑动引起滑移面上下的晶体发生相对运动,而晶体本身不发生体积变化称为保守运动。这又包括刃位错的滑移、螺位错的滑移、混合型位错的滑移。二 位错的攀移 刃型位错除可以在滑移面上滑移外,还可在垂直...