一、掩膜层的制作过程 设计图审核:对设计图进行审核,确保没有错误或需要修改的地方。 材料选择:选用适合制作掩膜版的材料,如聚酰亚胺、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)等,这些材料具有优异的绝缘性、耐热性和耐化学品性。 制版前处理:清洗材料表面,去除污染物和杂质,保证材料的洁净度。然后,将材料表面的涂胶层涂覆均匀,...
专利摘要显示，本发明一种半导体结构的形成方法，包括：提供基底，包括衬底，位于衬底上的介质层以及位于介质层表面的掩膜层；采用刻蚀气体以掩膜层为掩膜，刻蚀去除部分厚度的介质层，形成初始沟槽，刻蚀气体中的碳原子和氟原子的数量比值为第一比值；采用冲洗气体冲洗刻蚀后基底，冲洗气体的碳原子和氟原子的数量比值为第...
上述制备方法在电池主体上形成第一功能层，覆盖掩膜层后对第一功能层进行刻蚀处理，以在第一功能层上形成开口，沉积电极层并去除掩膜层后，再在第一功能层上形成第二功能层，使功能层达到所需的厚度。此种制备方法将功能层分阶段进行制备，刻蚀处理仅刻蚀功能层的一部分，即第一功能层，相较于传统制备方法减少了刻...
本发明提供的掩膜层的形成方法及刻蚀方法所需的光刻胶图形可以足够薄并且能够避免出现光刻胶图形坍塌现象和满足日益减小的光刻窗口要求。 法律状态 法律状态公告日 法律状态信息 法律状态 权利要求说明书 1.一种掩膜层的形成方法,其特征在于,包括: 提供半导体衬底; 在所述半导体衬底表面形成AlCu层; 在所述AlCu层表面...
因此,我们需要开发一种新的多层掩膜分步刻蚀方法,以解决传统方法中存在的问题。方法介绍本文提出的多层掩膜分步刻蚀方法基于以下的步骤:1.准备工作:将待刻蚀的半导体材料进行清洗,确保表面没有杂质。2.第一次光刻:将第一层初始掩膜施加在半导体材料上,并进行光刻曝光,使用相应的掩膜图形。3.第一次显影:将光刻胶进行...
作为本发明利用金属/氧化物双层掩膜结构刻蚀sic的方法的一种优化的方案,所述步骤1)中,通过原子层沉积技术在所述sic外延片表面生长10～50nm的氧化物掩膜层。 作为本发明利用金属/氧化物双层掩膜结构刻蚀sic的方法的一种优化的方案,所述氧化物掩膜层为al2o3,hfo2或者la2o3。
1.本发明涉及半导体技术领域,特别是涉及一种自对准成像工艺硬掩膜层刻蚀偏差的测量方法。 背景技术: 2.在finfet(鳍式晶体管)工艺中,首先是利用sadp(自对准双重成像技术)工艺定义整体的fin,继而通过平行于fin和垂直于fin的剪切层将多余的fin去除从而定义有源区。对于平行于fin的剪切层,理想的情况是将多余的整体的fi...
摘要 一种掩膜层的形成方法及刻蚀方法,其中掩膜层的形成方法包括:提供半导体衬底;在所述半导体衬底表面形成AlCu层;在所述AlCu层形成有机底部抗反射层;在所述底部抗反射层表面形成光刻胶层。本发明提供的掩膜层的形成方法及刻蚀方法所需的光刻胶图形可以足够薄并且能够避免出现光刻胶图形坍塌现象和满足日益减小的光刻...
2.深硅刻蚀双层复合掩膜层制作方法,其特征在于包括以下步骤: 步骤一,在单晶硅衬底上沉积SiO 2 薄膜层; 步骤二,进行涂胶; 步骤三,利用光刻机曝光形成需要图形,曝光时间为10至30s; 步骤四,对图形进行显影和坚膜; 步骤五,刻蚀SiO 2 薄膜层,使硅衬底暴露,制得双层复合掩蔽层。 3.根据权利要求2所述的深硅刻蚀双...
集微网消息,10月24日,上海华虹宏力半导体制造有限公司(以下简称“华虹宏力”)发布干法去胶设备和硬质掩膜层干法刻蚀设备国际招标公告。 华虹宏力拟采购1台干法去胶设备和1台硬质掩膜层干法刻蚀设备。 华虹宏力专注于非易失性存储器、功率器件、模拟及电源管理和逻辑及射频等“8英寸 + 12英寸”特色工艺技术的持续...