1) 当Q2打开时,EN被拉到低电平 2) 当Q2关闭时,Q2的漏极是浮空的状态,即高阻态(无限大的电阻),则EN被拉到3.3V (2)开漏模式可支持几个GPIO同时控制一个输入: ① 使用推挽输出,会烧毁 ② 使用开漏输出 四、开集模式(OC): OC门是针对三极管来说,OD门是针对MOS管来说。现在MOS管用普遍,而且性能要比晶体管要好,所以很多开漏输出电路,和上...
当Q1 PMOS 打开,Q2 NMOS 关闭,VCC给负载所在电路的给这颗 NMOS 的栅极供电,也就是推电流出去,输出高电平,当Q1 PMOS 关闭,Q2 NMOS打开时,负载所在的电路的NMOS栅极放电,也就是挽电流回来,这里用的是 NMOS 也就是在此专栏的硬件篇专门讲过为什么是NMOS,应用的场景也有说明,如果还是不懂可以回去看看。 开漏的理...
开漏输出,推挽输出,高阻态,上拉和下拉, 视频播放量 8724、弹幕量 12、点赞数 359、投硬币枚数 142、收藏人数 543、转发人数 44, 视频作者 小鱼教你模数电, 作者简介 技术合作➕ xiaoyudianzi1213,相关视频:一种MOS管防反接防倒灌电路,电路中VCC VDD VSS VEE GND的含义
D. 悬浮态 相关知识点: 试题来源: 解析 C 分析各选项: A. 推挽输出:主动驱动高低电平,默认状态下可能导致意外信号,通常需配置后使用。 B. 开漏输出:需外部上拉,默认设置可能性较低,多用于特定通信(如I²C)。 C. 高阻态:默认状态下I/O口为输入模式,对外高阻抗,避免误操作,符合常见单片机(如STM32...
MCU输出时会有两种模式,一种叫做推挽模式,一种是开漏模式,对于一个GPIO要么不就是输出高电平不就是输出低电平吗,为什么还要有这两种模式,答案在后文。 GPIIO内部结构简图 如下图所示,我们要关注的也就是mos管的开关状态,枚举一下会有四种情况,如下所示: ...
也就是NMOS关闭就是高阻态,高电平由外部提供,打开就是低电平。 推挽和开漏的区别 输出状态直接输出高电平和低电平只输出低电平,或通过上拉电阻输出高电平 驱动方式双向驱动(高电平和低电平)只有低电平驱动(高电平由外部提供) 输出能力高驱动能力低驱动能力(需要上拉电阻) 适用场景一般的数字输出、控制信号多设备...
MCU输出时会有两种模式,一种叫做推挽模式,一种是开漏模式,对于一个GPIO要么不就是输出高电平不就是输出低电平吗,为什么还要有这两种模式,答案在后文。 GPIIO内部结构简图 如下图所示,我们要关注的也就是mos管的开关状态,枚举一下会有四种情况,如下所示: Q1 Q2 OUT open close High close open Low close clos...