输出既可以向负载送电流,也可以从负载吸(灌)电流。推挽式输出既能提高电路的负载能力,又可提高开关速度。 2、开漏输出就是不输出电压,低电平时接地,高电平时不接地。如果外接上拉电阻,则在输出高电平时,电压会拉到上拉电阻的电源电压。这种方式适合连接的外设电压比单片机电压低或高的情况。
二、主要区别 特点开漏推挽输出状态低电平或高阻高电平或低电平外部元件需求需要外接上拉电阻无需外接元件信号切换速度较慢（受上拉电阻和负载电容影响）较快（由内部电路主动驱动）功耗低（输出高电平时无电流流过）较高（高低电平切换时有电流流过）驱动能力适合多个设备并联共用适合单一负载驱动抗干扰能力较强（高阻...
开漏输出主要由一个N沟道MOSFET（NMOS）构成，其漏极被设定为输出端，而栅极则由逻辑信号进行控制，源极则与地相连。值得注意的是，这种结构并不包含上拉晶体管（PMOS），因此它与推挽结构有所区别。2. 工作原理：在逻辑电平为高（例如逻辑“1”）的情况下，NMOS晶体管会处于截止状态，导致输出端呈现高阻态，类似...
输出电压范围受限:推挽输出的输出电压范围受到电源电压的限制,可能无法实现全电压范围的输出。 开漏输出 2.1 开漏输出的概念 开漏输出是一种数字电路输出方式,它通过一个晶体管(通常为NPN或PNP)来实现输出。在开漏输出电路中,晶体管的基极连接到输入信号,集电极连接到输出端,发射极连接到地或电源电压。当输入信号为高...
推挽输出与开漏输出的区别 推挽输出:可以输出高,低电平,连接数字器件。 输出0 时,N-MOS 导通,P-MOS 高阻,输出0。 输出1 时,N-MOS 高阻,P-MOS 导通,输出1(不需要外部上拉电路)。 开漏输出:输出端相当于三极管的集电极. 要得到高电平状态需要上拉电阻才行. 适合于做电流型的驱动,其吸收电流的能力相对强(...
2.2、开漏输出的特点 ①开漏输出的高电平没有驱动能力 开漏输出最主要的特性就是高电平没有驱动能力,需要借助外部上拉电阻才能真正输出高电平,此时,如果在集电极或漏极上增加上拉电阻,就具备了输出高、低电平的功能。 图6 外部加上拉电阻 ②开漏输出可以很方便的调节输出电平 ...
开漏输出:开漏输出只有一个N型晶体管(图 1)。当输出控制是低电平时,晶体管导通,输出接地(图2);当需要输出控制高电平时,晶体管截止,输出悬空高阻态(开漏)(图3)。由于开漏配置不直接提供高电平,因此需要外部上拉电阻(1k或者4.7k)来确保高电平状态(图4),上拉电阻值越小,驱动能力越强。
2,什么是开漏输出 注:类比集电极开路(OC门) 开漏就是漏极开路,就是把Q1去掉。那Q1去掉还怎么输出高电平呢,这个时候就需要我们外加一个电源再加一个上拉电阻,当Q2关闭的时候,这个时候就不是高阻态了,因为我们有外加电源的连接,所以这时就输出高电平了。 在Q2打开的时候,输出低电平 如果我们想用这个输出驱动12...
1---开漏输出与推挽输出是两个相对的概念 推挽输出 推挽电路即两个同类型的管子交替导通。 如示意图中,一个P型场效应管与一个N型场效应管组成开漏输出。 当输入端为高电平时,N型管导通,输出端为一个低电平; 当输入端为低电平时,P型管导通,输出端为一个高电平。
3.推挽输出与开漏输出的区别 输出方式: 推挽输出:提供正负两个方向的输出,能够主动拉高和拉低输出信号。 开漏输出:只能拉低输出信号,需要外部上拉电阻来提供高电平。 驱动能力: 推挽输出:具有较强的输出电流能力,适合驱动各种负载。 开漏输出:输出电流较小,通常用于连接到共享总线或其他设备。