那么终端高/低电平保持的时间将各有0.4T,影响还比较小;如果传输线损耗更大,使上升时间增加到0.4T,那么终端高/低电平保持的时间将降低为0.1T,这可能就会导致终端器件的时序混乱;如果损耗进一步增加,使上升时间大于0.5T的话,终端器件将不能正确的识别到高/低电平,导致完全无法正常通信。
开关损耗(Psw），以及通常被忽略的阻塞（泄漏）损耗（Pb ），计算公式如下。接下来就各类损耗，我会逐一...
因为MOSFET 存在导通电阻,在导通阶段流过电流会产生损耗,称之为导通损耗,计算时由于上下管交替导通以及各自导通电阻的差异,需要分别计算其导通损耗。 类似的,电流流经电感L 时也会由于电感的直流导通电阻而产生导通损耗,在电感电流纹波很小可以忽略的情况下,电感电流等于Buck电路输出电流,电感还会存在磁芯损耗,在磁芯为...
在开关模式操作的简化模型中，MOSFET要么完全导通，要么完全关断。然而，更现实的模型必须承认，这两种状态之间的转换不是瞬时的。相反，FET每次切换时都会在高功耗线性模式下短暂工作。这导致了第二种类型的损耗，称为开关损耗。计算开关损耗并不简单，因为导通和截止状态之间的转换是一个高度动态的过程，在此过程中沟道...
一般来说,插入损耗也是基于导体损耗和介质损耗为主。 根据上面的公式,填入相关参数值,得出: 导体损耗: 介质损耗: w=4mil;Z0特性阻抗50Ω;tan(δ)&εr参考下图Mid-loss板材相关信息: 得出总损耗为 0.65 dB/in。 考虑到这张插入损耗的表针对微带线和带状线分别做了要求,而计算公式没有针对微带线和带状线的而...
在电感中主要有4个损耗,铜损,铁损,涡流损耗,磁滞损耗。 铜损:电流流向导线时的电阻成分引起的损耗称为铜损。 对于一个电感来说,本身就只有两部分,线圈和磁芯,其中线圈为铜损,磁芯为铁损。磁束通过磁芯时磁芯内产生的损耗(磁滞损耗和涡流损耗)称为铁损。因此,铁损都是有磁芯产生的。
01 经常刷短视频 中医认为“久视伤血”，这里的血就是肝血。眼睛能看得清楚，全靠肝血滋养和肝气疏泄。如果肝血不足了，眼睛就容易干涩。有的人看短视频一看数小时，过度用眼会调动更多的肝血，加上久坐不动，容易出现气血瘀滞。建议 每天玩手机的时间最好不超过2小时，还可以多转转眼球，勤刮眼眶。双手握成...
所谓开关损耗是指MOS管在开通和关断过程中,电压和电流不为0,存在功率损耗。由前述MOS管导通过程可知,开关损耗主要集中在t1~t3时间段内。而米勒平台时间和MOS管寄生电容Crss成正比,其在MOS管的开关损耗中所占比例最大,因此米勒电容Crss及所对应的Qgd在MOS管的开关损耗...
“据食物营养所和中科院地理所调研，我国食物总体损耗浪费率为22.7%。”2023年12月18日，中国农科院发布的《2023年中国食物与营养发展报告》显示，“包括粮食、蔬菜、水果、肉蛋禽类等在内的食物，2022年损耗浪费总量达4.6亿吨，造成的经济损失1.88万亿元，相当于农业总产值的22.3%。”我国食物供给连续保持增长 2...
从ROMA的官网上，知道同步降压电路的损耗是由六部分组成的，分别是：Pmos是场效应管导通损耗，Psw是场效应管开关损耗，Pdead_time是死区时间损耗，PGATE是MOSFET的栅极电荷损耗，PCOIL是输出电感的DCR、直流电阻带来的传导损耗，PIC是开关电源芯片自身消化的功率。根据ROMA对其电源芯片的实测可知，场效应管开关损耗在整个...