1）扩散运动：物质的随机热运动，趋向于降低其浓度梯度；即存在一个从高浓度区向低浓度区的净移动。2）扩散工艺：利用杂质的扩散运动，将所需要的杂质掺入硅衬底中，并使其具有特定的浓度分布。3）研究杂质在硅中的扩散运动规律的目的：■开发合适的扩散工艺，预测和控制杂质浓度分布。■研究IC制造过程中其他工艺...
扩散是微电子工艺中最基本的工艺之一,是在约1000℃的高温、p型或n型杂质气氛中,使杂质向衬底硅片的确定区域内扩散,达到一定浓度,实现半导体定域、定量掺杂的一种工艺方法,也称为热扩散。反馈 收藏
1）扩散运动：物质的随机热运动，趋向于降低其浓度梯度；即存在一个从高浓度区向低浓度区的净移动。2）扩散工艺：利用杂质的扩散运动，将所需要的杂质掺入硅衬底中，并使其具有特定的浓度分布。3）研究杂质在硅中的扩散运动规律的目的：■■ 开发合适的扩散工艺，预测和控制杂质浓度分布。研究IC制造过程中其他工艺...
扩散工艺首先从硅膜上涂一层薄薄的杂质开始，杂质在半导体中扩散我们可以看成是杂质原子在晶格中以空位或间隙原子形式进行移动。下面我们介绍两种扩散机制：替代式扩散机制(Substitutional impurity atoms) 和填隙式扩散机制(Interstitial impurity atoms)。如上图所示，顾名思义就是根据杂质是“替位”进入还是“填隙”...
离子注入是将具有一定能量的带电离子掺入到硅中,注入能量再1keV到1MeV之间,对应的平均离子分布深度范围是10nm到10um之间。相对于扩散工艺,离子注入的主要好处是能够使得杂质掺入量得到较为精准的控制,保持好的重复性,同时离子注入的加工工艺温度比扩散低。
扩散工艺一般分为固相扩散和气相扩散两种类型。固相扩散是指将掺杂材料与基底材料接触并加热,在高温下由于热激活,掺杂原子会从高浓度扩散到低浓度区域,从而改变材料的电学性能。气相扩散则是将掺杂材料置于特定的气氛中,通过气氛中的气体分子与基底材料表面上的原子进行反应,使掺杂原子扩散到材料中。 在固相扩散中,加热...
扩散(Diffusion)是晶圆制造过程中至关重要的工艺步骤之一,尤其是在半导体制造中,用于掺杂硅基材料。这一过程是通过扩散将特定的掺杂物(如磷、硼、砷等)引入硅晶圆,以调整其导电性。
扩散工艺是指将掺杂物质渗透到半导体材料表面,然后通过高温烧结的方式使其扩散到半导体内部的过程。扩散掺杂后,掺杂物将与半导体材料形成电子气隙,在其中载流子的浓度增加,导致半导体材料的电导率发生改变。一般来说,扩散工艺可以将掺杂物质分为硼、磷、氮等多种类...
As在硅中的高溶解度不是用于扩散工艺中的。As用在外延晶片的衬底掺杂中。用As可以得到小于5mΩ·cm 的特别低的电阻率, 而用Sb只能达到小于15mΩ·cm。因为在许多功率器件中,衬底的电阻率作为一个串联电阻,电阻很低对于低导通损耗是重要的。 其他原子,如重金属Au、Pt、Ni和Ag, 在硅晶体中能够占据晶格位置,也...