通常来讲，简化的 HLN 方程会被拿来描述无序材料里的磁阻表现，尤其是有弱反局域化这类量子干涉效应存在的时候。数据能和简化的 HLN 方程成功匹配，这意味着生长样品中所观察到的磁阻行为跟无序材料的理论预计是相符的。这些发现显示，生长出来的 Bi2Te3 样品反局域化比较弱，而且简化的 HLN 方程能成为一个恰当的...
因此结论是：自旋轨道耦合的时间反演总是不利于局域化，我们称之为弱反局域化。另外一个理解反局域化的...
环路径的电子波会积累pi相位，形成相消干涉destructive interference，从而产生弱反局域化。
拓扑表面态电子的自旋被锁定在其动量上,当在量子扩散区域中绝热地通过时间反演保护的自相交路径后会产生一个非平庸的π 贝利相位。这种非平庸的π 贝利相位导致拓扑绝缘体在低磁场范围出现弱反局域化 (WAL)效应,即对经典电子电导产生量子修正。最近,三维拓扑绝缘体中拓扑表面态的WAL效应的观察结果已得到广泛报道。通常...
2023.3.22-介观物理-反弱局域化及朗道能级 紧扣的dagger 关注 专栏/2023.3.22-介观物理-反弱局域化及朗道能级 2023.3.22-介观物理-反弱局域化及朗道能级 2023年03月22日 17:12117浏览· 0喜欢· 0评论 紧扣的dagger 粉丝:96文章:268 关注本文禁止转载或摘编...
结果数:1 导读 Nano Lett. : 拓扑绝缘体BiSbTeSe2中拓扑表面态反弱局域化效应的定量分析 abc940504•6年前 (2019-04-14) 【引言】 具有无能隙和螺旋狄拉克锥的拓扑保护表面态是三维拓扑绝缘体的显著特性之一。拓扑表面态电子的自旋被锁定在其动......
本文通过低温磁输运测量对AlGa<,x>N<,1-x>N/GaN异质结构中两维电子气的反弱局化现象进行了研究,获得了不同温度下的弹性散射时间,相变时间,自旋散射时间.当三角形势阱中的两维电子气占据第二个子带时,由于带间散射引起强裂的自旋轨道相互作用,可以很清楚的观察到反弱局域化现象.子带间散射作用随温度升高而变...
具有无能隙和螺旋狄拉克锥的拓扑保护表面态是三维拓扑绝缘体的显著特性之一。拓扑表面态电子的自旋被锁定在其动量上,当在量子扩散区域中绝热地通过时间反演保护的自相交路径后会产生一个非平庸的π 贝利相位。这种非平庸的π 贝利相位导致拓扑绝缘体在低磁场范围出现弱反局域化 (WAL)效应,即对经典电子电导产生量子修...
研究方向:量子输运 (弱局域化,量子自旋和反常霍尔效应,反常磁阻现象)、狄拉克材料 (拓扑绝缘体/半金属/超导体,二维层状材料)、凝聚态量子场论 (费曼图技术,非平衡格林函数方法)、自旋电子学。发表论文100余篇,ESI高引论文10余篇。#读书#研究生#高考#学习#考研...
其波函数在空间上会出现驻波的形式，形成局域化的电子态。这种局域化的电子态使得石墨烯具有弱反局域化...