异质结原理与器件上QQ阅读看本书 新人免费读10天 领看书特权 12.3 Si1-xGex/Si异质结的电子学性质 后续精彩内容,上QQ阅读APP免费读 上QQ阅读看本书,新人免费读10天 登录订阅本章 > 12.4 Si1-xGex应变层的外延生长 后续精彩内容,上QQ阅读APP免费读 上QQ阅读看本书,新人免费读10天 登录订阅本章 >上
当当金辉荣丰图书专营店在线销售正版《氮化物宽禁带半导体材料与电子器件 郝跃编著 半导体科学与技术丛书氮化物材料的异质外延生长和缺陷性质GaN HEMT器件的原理和优化【金辉荣丰图书】》。最新《氮化物宽禁带半导体材料与电子器件 郝跃编著 半导体科学与技术丛书氮化物材料
7外延:在单晶衬底上生长同类单晶体(同质外延),或者生长具有共格或半共格异类单晶体抑制外延的技术。 8同质外延:外延层与衬底具有相同或近似的化学组成,但两者中掺杂剂或掺杂浓度不同的外延。 9异质外延:外延层和衬底不是同种材料的外延. 10溅射镀膜:用动能为几十电子伏的粒子束照射沉积材料...
MOCVD原理及应用 | 金属有机化学气相沉积(Metal-organic Chemical Vapor Deposition ,MOCVD),也被称为金属有机气相外延(Metal-organic Vapor-Phase Epitaxy,MOVPE),是在气相外延生长(Vapor-Phase Epitaxy)基础上发展起来的一种新型气相外延生长技术。 MOCVD主要以III族或II族元素的有机化合物和V族或VI族元素的氧化物...
7外延:在单晶衬底上生长同类单晶体(同质外延),或者生长具有共格或半共格异类单晶体抑制外延的技术。 8同质外延:外延层与衬底具有相同或近似的化学组成,但两者中掺杂剂或掺杂浓度不同的外延。 9异质外延:外延层和衬底不是同种材料的外延. 10溅射镀膜:用动能为几十电子伏的粒子束照射沉积材...