绕开EUV光刻工艺!我国突破下一代晶体管技术 在芯片制造过程中,光刻机的先进程度至关重要,而制造工艺也很关键。这就是为什么同样拥有EUV光刻机,台积电却比三星良率较高、性能稳定、发热控制较好等。 还有中芯国际请来梁孟松后,实现从28nm到7nm五个世代的技术开发,制造工艺大大提升。制造工艺最核心的就是晶体管技术,...
纯度也从6N(99.9999%)提高到9N(99.9999999%)。 三、光刻 光刻(Photolithography)是半导体制程中的关键步骤,其目的是将集成电路的设计图案转移到晶圆表面。光刻的核心原理是利用紫外光、极紫外光等光源通过光刻掩模(Mask)在光刻胶(Photoresist)上形成图案。光刻胶是一种光敏材料,当其受到光照后,会发生化学变化,使得部分...
凭借基于“功能性光刻胶”的全光刻无刻蚀工艺,实现本征可拉伸晶体管器件高成品率和高均一性制造,突破了限制电子皮肤产业化的关键集成技术壁垒,为柔性电子器件工业制造领域提供新的范式,成为 2022 年度《麻省理工科技评论》“35 岁以下科技创新 35 人” 中国入选者之一。 首次实现柔性材料全光刻直接图案化 实际上,早...
EUV光刻机比较复杂，在现有技术节点下，能够大幅提升集成密度的CFET 技术有着巨大的发挥空间，但全硅基 CFET 的工艺复杂度高且性能在复杂工艺环境下退化严重。而复旦大学实现了晶圆级异质 CFET 技术，相比于硅材料，二维原子晶体的单原子层厚度使其在小尺寸器件中具有优越的短沟道控制能力。其实除了光刻机，晶体管类...
一、 LBO晶体在DUV光刻光源上应用 (1) 今年四月份中科院研究人员利用LBO晶体开发出波长为193纳米的60毫瓦固态DUV激光器,为效率值设定了新基准。(备注:我国中科院旗下福晶科技公司是世界LBO晶体技术第一,地位第一垄断80%市场) 在科学和技术领域,利用深紫外(DUV)区域的相干光源对光刻、缺陷检测、计量和光谱学等各种应...
这台光刻机的价格非常昂贵,被称为史上最贵的开箱之一,其售价超过3亿美元,甚至有报道称可能达到4亿美元。Intel将使用这台光刻机来学习如何使用High-NA EUV技术,特别是通过其Intel 18A和Intel 20A工艺技术来测试高数值孔径光刻的使用。 Intel已经完成了Intel 18A(1.8nm)和Intel 20A(2nm)制造工艺的开发,其中Intel...
光刻机里面含有激光技术,而激光离不开倍频晶体,比如KBBF晶体。它可以将激光转换成深紫外激光,从而可以制造出深紫外固体激光器。中国在这方面应该是有垄断地位的,为什么荷兰光刻机里面没有中国的晶体技术?那位解答下。 送TA礼物 来自Android客户端1楼2020-07-31 07:20回复 ...
芯片想要获得更好的性能,就必须拥有更多的晶体管,然而在某些特定的使用场景下,例如手机这种小型电子设备中,由于面积有限,所以需要芯片越小越好,那么这就需要在制造工艺上尽量缩小晶体管的尺寸。目前市面上已经量产的最高工艺制程的芯片是4nm,未来1-2年有望实现3nm,但是这些都是依靠荷兰ASML的EUV光刻机实现的,而复旦...
复旦大学突破CFET晶体管技术，成功绕开了EUV工艺！在老美的芯片规则之下，国内无法获取到EUV光刻机，导致先进的量产工艺被卡在了14nm上，原因就在于7nm以下工艺，需要用到极紫外光刻技术，才能实现晶体管的高精度尺寸微缩。这项技术是由欧美主导的，极紫外光源设备制造复杂，因此它们一直都对我国采取高度的垄断和封锁，...
台湾当地媒体及业界人士分析称,“看来台积电管理层为了巩固全球半导体霸主地位,决定性地访问阿斯麦”,“随着光刻设备在7纳米以下超精细工艺中的重要性日益提升,台积电似乎也加入了竞争”。据悉,台积电正考虑在2026年下半年量产的1.6纳米产品A16之后的工艺中引入High NA EUV设备,在此之前则使用现有的Low NA EUV设备。