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在开关电源中,选择功率MOSFET时,首先要考虑击穿电压。由于MOSFET不存在二次击穿现象,电压余量可以选小一些,通常按MOSFET的击穿电压UDSS为功率开关管承受最大电压的1.2~1.4倍即可。 (2)关于漏极电流 由于多数功率MOSFET的最大漏极电流IDM为额定漏极电流ID的3~4倍,因此,电流余量也可以选小一些,通常选择MOSFET漏极电流...
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