在n型掺杂中施主掺杂浓度远大于受主与本征载流子,因此平方根项可以近似为ND/2,热平衡载流子浓度为: n≈ND p≈ni2ND 在P型掺杂中受主掺杂浓度远大于施主与本征载流子,因此平方根项可以近似为NA/2,热平衡载流子浓度为: p≈NA n≈ni2NA 3、高温激发的半导体(ni≫|ND−NA|) 随着温度升高,本征载流子浓度迅速...
热平衡状态下电子浓度的表达式电子浓度E～E+dE之间的量子态数: dZ=g(E)dE在合金中，两个组元的价电子总数（e）和两组元的原子总数（a）之比称为电子浓度热平衡，指同外界接触的物体，其内部温度各处均匀且等于外界温度的状况。在热平衡时，物体各部分以及物体同外界之间都没有热量交换。在热工和化...
因为Ec-EF>>kT,费米分布可以近似为波尔兹曼分布,即E-Ep-|||-f(E)=e-|||-灯 以导带底作为能量原点,则导带中电子浓度为n=jN(E)f(E)dE=j4-|||-(2m)-|||-Ehe-|||-E-Er-|||-k灯dE-|||-h3-|||-=4-|||-(2m)-|||-h3-|||-e-|||-%jghe%dE 令E/kT=ζ,则上式变为n=4π-|...
首先n0、p0这两个0就是平衡的意思，后两个积分公式所得载流子浓度即为平衡载流子浓度。再说前面那个公式：n、p所得为平衡载流子浓度，如果非平衡状态，Ef会非，分成Efn与Efp两个能级。
导带电子热平衡浓度: n_0=N_cexp(\frac{-(E_c-E_F)}{kT}) , N_c 为导带有效态密度且N_c=2(\frac{2\pi m_n^*kT}{h^2})^{3/2}。T=300K, m_n^*=m_0 时N_c 为2.5\times10^{19} cm^{-3} ,大多数半导体 N_c 在此数量级,若电子有效质量相对 m_0 有所浮动,仍保持该数量级。
为了平衡半导体中的电子与空穴浓度,可以采取以下几种补偿方法: 1. 掺杂补偿:通过向半导体中掺入其他元素,改变半导体中的载流子浓度。例如,在P型半导体中掺入N型杂质,或在N型半导体中掺入P型杂质,以实现电子与空穴的浓度平衡。 2. 温度控制:温度对半导体的导电性能有...
一块有掺杂补偿的n型硅单晶材料,其平衡电子浓度 n_0=7.5*10^(15)cm^(-3) ,已知掺入的受主浓度 N_A=5*10^(14)cm^(-3) ,室温下测得其费米能级E恰好与施主能级重合,求(1)平衡少数载流子浓度(2)掺入材料中的施主杂质浓度Np。 相关知识点: ...
杂质半导体的载流子浓度(1)杂质能级上的电子和空穴 悟弥今 940 0 半导体的导电性:电导率、迁移率与平均自由时间的关系 悟弥今 1462 0 金属半导体之肖特基模型 悟弥今 1.9万 17 一般情况下的载流子统计分布 悟弥今 1269 0 几分钟了解载流子的产生与复合以及非平衡载流子 悟弥今 1.5万 8 三十分钟一口气...
百度试题 题目热平衡电子浓度( )和空穴浓度( ) A.n₀ ,p₀B.n , pC.n₀ , pD.n ,p₀相关知识点: 试题来源: 解析 A 反馈 收藏
例4.9 试计算给定掺杂浓度条件下 热平衡电子的浓度和空穴的浓度假设 T = 300 K , ( a ) n 型硅掺杂浓度为 N _ d = 10 ^ 16 cm ^